Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии - ЭМТИОН

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

 

Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние на функционирование и надежность микросхем, может являться причиной различных режимов отказа, таких как:

— изменения подвижности электронов или дырок

— дислокации вблизи изолирующих областей

— трещины в сколах,

— ползучесть в металлах,

— стрессовая миграция и др.

Напряжение также может быть использован положительным образом, например, для увеличения подвижности носителей.

 

Скачать

Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы