
HR2100
Компактный вольфрамовый СЭМ для повседневной работы: автоматическая настройка изображения и оптическая навигация по образцу. Разрешение SE — 3 нм при 20 кВ.
Всё оборудование раздела · 26 позиций

Компактный вольфрамовый СЭМ для повседневной работы: автоматическая настройка изображения и оптическая навигация по образцу. Разрешение SE — 3 нм при 20 кВ.

Вольфрамовый СЭМ с колонной Super-Tunnel и внутрилинзовым детектором для низковольтной съёмки. Разрешение SE — 2,5 нм при 15 кВ; 5 нм при 1 кВ.

Вольфрамовый СЭМ с двуханодной электронной пушкой для работы при низких напряжениях. Низковакуумный режим — опция. Разрешение SE — 3 нм при 30 кВ; 7 нм при 3 кВ.

СЭМ с катодом Шоттки для микроанализа и работы с непроводящими образцами. Низковакуумный режим входит в стандартное оснащение. Разрешение SE в этом режиме — 1,5 нм при 30 кВ.

СЭМ с катодом Шоттки и внутрилинзовыми детекторами для детального анализа поверхности. Торможение пучка UBD — опция. Разрешение SE без UBD — 0,9 нм при 30 кВ; 1,8 нм при 1 кВ.

СЭМ с катодом Шоттки и колонной Super-Tunnel для высокодетальной низковольтной съёмки. Разрешение SE — 0,8 нм при 15 кВ; 1,2 нм при 1 кВ.

СЭМ с катодом Шоттки и двойным торможением пучка для исследования наиболее мелких деталей поверхности. Разрешение SE — 0,6 нм при 15 кВ; 1,0 нм при 1 кВ.

Автоматизированный СЭМ для скоростной съёмки больших областей и серий образцов. Скорость сканирования — до 2 × 100 Мпикс/с. Разрешение SE — 1,3 нм при 3 кВ; 1,5 нм при 1 кВ.

Двухколонная система СЭМ/ФИП для наноструктурирования и пробоподготовки. Сочетает электронную визуализацию с обработкой сфокусированным галлиевым пучком.

СЭМ с катодом Шоттки и торможением пучка для низковольтной визуализации. Исполнения IB оснащаются ионной колонной для локальной обработки образцов.

ПЭМ на 120 кВ для анализа внутренней структуры материалов. Доступны исполнения с приоритетом контраста или разрешения, а также дополнительные аналитические модули.

Компактная установка магнетронного напыления ЭМТИОН. Наносит металлические и углеродсодержащие покрытия для СЭМ, исследований и учебных работ.

Настольная установка испарения углерода для нанесения тонких проводящих плёнок. Поддерживает непрерывный и импульсный режимы напыления.

Компактная установка ионного напыления проводящих покрытий. Предназначена для подготовки небольших образцов к электронной микроскопии.

Настольная установка катодного напыления на постоянном токе. Предназначена для нанесения проводящих металлических покрытий при подготовке образцов к СЭМ.

Настольная установка магнетронного напыления металлических покрытий. Подходит для подготовки образцов к СЭМ и лабораторных работ с тонкими плёнками.

Комбинированная настольная установка нанесения покрытий. Сочетает магнетронное напыление металлов и испарение металлических и углеродных плёнок.

Сушка в критической точке для подготовки влажных и биологических образцов к СЭМ. Позволяет сохранить структуру, чувствительную к обычному высушиванию.

Волнодисперсионный микроанализ в СЭМ для разделения близких спектральных линий. Предназначен для точного количественного анализа и выявления примесей.

Элементный микроанализ в СЭМ с кремниевым дрейфовым детектором. Позволяет сопоставлять морфологию образца с его качественным и количественным составом.

Кристаллографический анализ в СЭМ методом дифракции обратно рассеянных электронов. Определяет ориентации зёрен и связь микроструктуры со свойствами материала.

Катодолюминесцентная визуализация и спектроскопия в СЭМ. Дополняет электронные изображения данными об оптических свойствах и неоднородностях материала.

Модуль АСМ/СТМ для исследования поверхности внутри СЭМ. Электронное изображение помогает выбрать участок для детального зондового анализа.

Испытания образца на растяжение с нагревом и охлаждением непосредственно в СЭМ. Позволяет наблюдать развитие деформации и разрушения микроструктуры.

Наноманипулятор для перемещения микрообъектов и механических испытаний в СЭМ. Совмещает воздействие на образец с наблюдением и измерением его свойств.

Модуль электронно-лучевой литографии для СЭМ. Объединяет управление пучком и прецизионное позиционирование для формирования микро- и наноструктур.