Архивы raman - ЭМТИОН

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

 

Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние на функционирование и надежность микросхем, может являться причиной различных режимов отказа, таких как:

— изменения подвижности электронов или дырок

— дислокации вблизи изолирующих областей

— трещины в сколах,

— ползучесть в металлах,

— стрессовая миграция и др.

Напряжение также может быть использован положительным образом, например, для увеличения подвижности носителей.

 

Spring Meeting of the European Materials Research Society

 

«НТ-МДТ» приняла участие в Spring Meeting of the European Materials Research Society-2019, которое проходило с 27 по 31 мая 2019 года в г. Ницце. На своем стенде НТ-МДТ продемонстрировала новейшие разработки в области атомно-силовой микроскопии и ее комбинации и с современными оптическими методиками: СНОМ, Раман и др.

Больше информации доступно по ссылке