Архивы SPECTRA - ЭМТИОН

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

 

Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние на функционирование и надежность микросхем, может являться причиной различных режимов отказа, таких как:

– изменения подвижности электронов или дырок

– дислокации вблизи изолирующих областей

– трещины в сколах,

– ползучесть в металлах,

– стрессовая миграция и др.

Напряжение также может быть использован положительным образом, например, для увеличения подвижности носителей.