Ruslan Sultanov, Автор в ЭМТИОН

Грант РНФ на создание лабораторий мирового уровня: приём заявок до 20 сентября 2026 года

 

Российский научный фонд открыл приём заявок на участие в конкурсе по приоритетному направлению «Поддержка проведения научных исследований и развития научных коллективов, занимающих лидирующие позиции в определённых областях науки». Конкурс ориентирован на научные коллективы, осуществляющие исследования мирового уровня на базе существующих лабораторий российских организаций.

 

 

Ключевые параметры конкурса

 

Срок реализации проектов

 

Гранты выделяются на проведение фундаментальных и поисковых научных исследований в 2027–2030 годах с возможностью продления ещё на три года.

 

 

Объём финансирования

 

Размер гранта составляет от 20 млн рублей ежегодно с дифференциацией по годам:

 

  • 2027 год — до 30 млн руб.
  • 2028 год — до 28 млн руб.
  • 2029 год — до 26 млн руб.
  • 2030 год — до 24 млн руб.

 

Для проектов в области генетических исследований установлен единый лимит — до 32 млн рублей ежегодно.

 

 

Условие софинансирования

 

Обязательным требованием является привлечение внебюджетных средств квалифицированным заказчиком или технологическим партнёром. Минимальный объём софинансирования:

 

  • 2027 год — не менее 2 млн руб.
  • 2028 год — не менее 4 млн руб.
  • 2029 год — не менее 6 млн руб.
  • 2030 год — не менее 8 млн руб.

 

 

Требования к научному коллективу

 

  • Численность команды: от 7 до 30 человек.
  • Доля исследователей в возрасте до 39 лет — не менее 40% на протяжении всего срока реализации проекта.
  • Руководитель проекта должен иметь не менее 10 публикаций по тематике исследования в ведущих рецензируемых изданиях, опубликованных с 1 января 2021 года.
  • Обязательное очное участие руководителя в выполнении работ: не менее 180 дней в году для российских учёных и 90 дней — для зарубежных специалистов.

 

 

Ожидаемые результаты

 

Условием предоставления гранта является публикация не менее 40 статей по результатам исследований в рецензируемых российских и зарубежных научных изданиях (для гуманитарных наук — не менее 30).

 

 

Сроки и порядок подачи заявок

 

Заявки принимаются через Информационно-аналитическую систему РНФ до 17:00 (мск) 20 сентября 2026 года. Результаты конкурса будут утверждены правлением Фонда и опубликованы на официальном сайте не позднее 15 декабря 2026 года.

 

Полный комплект конкурсной документации, включая формы заявок и критерии оценки, размещён на сайте Фонда.

 

 

Конкурсная документация доступна по ссылке.

 

Извещение о проведении конкурса доступно по ссылке.

 

 

«ЭМТИОН» готов выступить в качестве технологического партнёра для вашего проекта, предоставив необходимое софинансирование и взяв на себя обеспечение проекта высокотехнологичным оборудованием. Это идеальный вариант для научных групп, которым не хватает собственных внебюджетных средств для выполнения условия о софинансировании. Мы можем закрыть эту потребность, став вашим надёжным индустриальным партнёром.

 

Наша экспертиза и портфель решений охватывают ключевые области, востребованные в передовых исследованиях:

 

 

Наши инженеры и технологи готовы помочь вам сформировать техническое задание, обосновать выбор оборудования в заявке и предоставить его для выполнения работ в случае победы в конкурсе.

II Всероссийская школа-конференция «Фотокатализ – от фундаментальных исследований до практического применения» пройдёт 20–22 апреля 2026 в г. Новосибирск)

 

Мы рады сообщить, что компания «ЭМТИОН» примет участие в II Всероссийской школы-конференции «Фотокатализ — от фундаментальных исследований до практического применения». Мероприятие организовано Институтом катализа им. Г. К. Борескова СО РАН и Новосибирским государственным университетом и пройдёт в Новосибирском Академгородке с 20 по 22 апреля 2026 года на площадке «Точка кипения» в Академпарке.

 

 

Конференция соберёт учёных, исследователей, представителей промышленных предприятий и молодых специалистов из различных регионов России. Целью форума является консолидация усилий научного сообщества для обмена опытом, обсуждения актуальных направлений развития фотокатализа и ускорения внедрения передовых разработок в российскую экономику. В рамках программы запланированы пленарные лекции от ведущих экспертов страны, устные и стендовые доклады, а также дискуссии по приоритетным тематикам отрасли.

 

Научная программа конференции будет посвящена широкому спектру направлений в области фотокатализа и смежных дисциплин. В ходе секционных заседаний планируется обсуждение следующих тем:

 

  • Фундаментальные основы и новые материалы;
  • Фотокатализ для альтернативной энергетики: разложение воды, получение водорода, гидрирование СО₂ и азота;
  • Механизмы и моделирование реакций, дизайн реакторов, практическое применение: от очистки воды и воздуха до тонкого органического синтеза и биомедицины.

 

 

Для участников II Всероссийской школы-конференции «Фотокатализ – от фундаментальных исследований до практического применения» будет организована возможность посещения лаборатории исследования поверхности ИК СО РАН, в которой в прошлом году  командой «ЭМТИОН» был запущен рентгеновский фотоэлектронный спектрометр высокого давления (NAP-XPS, производство Китай). NAP-XPS реализует методику спектроскопии в рабочих условиях, позволяющую регистрировать фотоэмиссионные спектры в контролируемой газовой среде при давлениях до 25 мбар. Это обеспечивает возможность мониторинга эволюции химического состояния поверхности в реальном времени в условиях, приближенных к параметрам каталитических процессов. Организаторы конференции приглашают вас посетить Институт катализа, если вам интересен данный метод.

 

Посещение ИК СО РАН состоится 22 апреля 2026 г. сразу после церемонии закрытия конференции. Сбор группы состоится сразу же после закрытия на 1 этаже Новосибирского Академпарка (ул. Николаева, дом 11).

 

 

Компания ЭМТИОН осуществляет производство и поставку исследовательского лабораторного и технологического оборудования. Собственное производство компании сосредоточено в г. Зеленоград (Москва). Производство компаний партнеров расположено в Российской Федерации, Республике Беларусь и Китайской Народной Республике.

 

Мы предлагаем к Вашему вниманию следующую продукцию:

 

Просвечивающий электронный микроскоп TEM-120: возможности и интеграция в лабораторную практику

 

Компания «ЭМТИОН» представляет просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) TEM-120. Этот прибор, позволяющий проводить наблюдения с разрешением на атомарном уровне, открывает широкие возможности для исследований в области материаловедения, физики твердого тела, биологии и нанотехнологий.

 

 

Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) TEM-120

 

 

История разработки и ключевые особенности TEM-120

 

Разработка TEM-120 является значительным шагом в области электронной микроскопии. Исследования, которые легли в его основу, были инициированы в 2016 году в Институте биофизики Китайской академии наук. В 2020 году производитель начал тестировать в полевых условиях ПЭМ TEM-120. Официальная презентация первого коммерческого прибора состоялась в январе 2024 года.

 

 

Ключевые технологические решения микроскопа включают:

 

  • Автоэмиссионная электронная пушка (катод Шоттки): В TEM-120 используется высокостабильная пушка с автоэмиссионным катодом, которая обеспечивает высокую яркость и когерентность пучка. Это дает явные преимущества в разрешении по сравнению с традиционными термоэмиссионными источниками, используемыми в приборах аналогичного класса.

  • Разделение рабочего пространства: Конструкция прибора подразумевает физическое разделение помещения, где находится сам микроскоп, и рабочей зоны оператора. Это позволяет значительно снизить влияние вибраций, акустических шумов и колебаний температуры на результаты измерений.

  • Высокая степень автоматизации: Управление микроскопом осуществляется через специализированное ПО, которое интегрирует все ключевые процессы, включая управление электронной пушкой, системами фокусировки и юстировки, что минимизирует влияние человеческого фактора и повышает воспроизводимость результатов.

  • Широкие возможности для модернизации: В конструкции прибора предусмотрено достаточное количество интерфейсов и портов для подключения дополнительных модулей, что позволяет расширять его функциональность по мере возникновения новых исследовательских задач.

 

 

География поставок и сферы применения

 

Первые коммерческие поставки TEM-120 начались после подписания первых контрактов в декабре 2024 года. Микроскоп вызвал интерес как у академических институтов, так и у промышленных предприятий.

 

 

Прибор активно применяется в следующих областях:

 

  • Разработка лекарств и вакцин: Как сообщалось при презентации, TEM-120 может использоваться для визуализации структуры вирусов и патогенов на нанометровом уровне, что критически важно для понимания механизмов инфекций и разработки противовирусных препаратов.

  • Материаловедение и анализ полупроводников: Микроскоп применяется для изучения кристаллической решетки, дефектов и фазовых переходов в новых материалах, а также для контроля технологических процессов при производстве чипов, вплоть до топологии 28 нм.

  • Науки о жизни: TEM-120 используется для визуализации тонкой структуры клеток, органелл и биомакромолекул, что необходимо для развития клеточной биологии и биофизики.

 

 

География поставок компании производителя охватывает более 40 стран мира, включая страны Европы, Азии и Америки. В России прибор представлен официальным дистрибьютором — компанией «ЭМТИОН». Штат компании насчитывает более 700 сотрудников, из которых около 40% — это сотрудники научно-исследовательских и опытно-конструкторских подразделений, что обеспечивает высокий инновационный потенциал и технологический уровень продукции.

 

 

Технические характеристики и модификации ПЭМ TEM-120

 

Прибор поставляется в двух основных конфигурациях:

 

Параметр Версия с высоким контрастом Версия с высоким разрешением
Ускоряющее напряжение 10–120 кВ 10–120 кВ
Разрешение по линиям 0,20 нм 0,14 нм
Разрешение по точкам 0,36 нм 0,30 нм
Максимальное увеличение до 1 200 000× до 1 500 000×
Размер КМОП-матрицы камеры 4096 × 4096 пикс. 4096 × 4096 пикс.
Угол наклона гониометра –90° … +90° –70° … +70°

 

Для обеих модификаций доступен широкий спектр опциональных модулей, включая систему для растровой просвечивающей микроскопии (STEM), энергодисперсионный анализатор (EDS), спектрометр характеристических потерь энергии электронов (EELS) и многое другое

 

 

Приглашаем к сотрудничеству

 

Просвечивающий электронный микроскоп TEM-120 доступен для заказа. Наши специалисты помогут подобрать оптимальную конфигурацию под задачи вашей лаборатории.

Компания ЭМТИОН осуществляет производство и поставку исследовательского лабораторного и технологического оборудования. Собственное производство компании сосредоточено в г. Зеленоград (Москва). Производство компаний партнеров расположено в Российской Федерации, Республике Беларусь и Азиатском регионе.

Вибромагнитометр VSM-500XT – высокая чувствительность без сверхпроводимости

 

Компания «ЭМТИОН» представляет новую высокочувствительную систему для исследования магнитных материалов — вибрационный магнитометр VSM-500XT. Это система для исследования магнитных свойств материалов, сочетающую высокую чувствительность с простотой эксплуатации

 

 

Сверхчувствительный вибромагнитометр VSM-500XT

 

 

В чём суть инновации?

 

Традиционно вибрационные магнитометры (VSM) считаются универсальным и надёжным инструментом для магнитных измерений. Новый VSM-500XT сохраняет все преимущества классического вибрационного метода: простоту эксплуатации, широкий температурный диапазон и возможность работы в полях до 3 Тл. При этом он демонстрирует улучшенные метрологические характеристики. Результат — прибор с чувствительностью 5×10⁻⁷ emu, что на три порядка лучше, чем у стандартных VSM, и всего на несколько порядков уступает базовым конфигурациями СКВИД-магнитометров.

 

 

Почему это важно для исследователя?

 

СКВИД-магнитометры остаются «золотым стандартом» для измерений сверхслабых магнитных сигналов. Однако их использование сопряжено с рядом ограничений: необходимость в жидком гелии или криокулере, длительное время подготовки к измерениям, высокая стоимость владения и чувствительность к внешним электромагнитным помехам.

 

VSM-500XT предлагает альтернативу для большинства рутинных задач:

 

  • Нет криогеники — прибор готов к работе через несколько минут после включения, без ожидания охлаждения и стабилизации.
  • Низкие эксплуатационные расходы — только электроэнергия и вода для охлаждения электромагнита.
  • Широкий температурный диапазон — от –183 °C (жидкий азот) до +720 °C, что особенно востребовано при исследовании высокотемпературных материалов и фазовых переходов.
  • Устойчивость к внешним полям — не требует экранированной комнаты, может работать в стандартной лабораторной среде.

 

 

 

Ключевые характеристики VSM-500XT

 

  • Чувствительность: 5×10⁻⁷ emu
  • Диапазон измерений: 5×10⁻⁸ — 300 emu
  • Повторяемость: лучше ±0,5%
  • Магнитное поле: до 3,0 Тл (с регулируемым зазором)
  • Температурные опции: от –183 °C до +720 °C
  • Разрешение по полю: 1 мкТл
  • Размер образца: до 5×5×3 мм (при максимальном поле)

 

 

Система позволяет измерять петли гистерезиса, кривые намагничивания, температуру Кюри, коэрцитивную силу и остаточную намагниченность для широкого спектра материалов: постоянных магнитов, магнитомягких сплавов, порошков, тонких плёнок и высокотемпературных сверхпроводников.

 

 

Компания ЭМТИОН осуществляет производство и поставку исследовательского лабораторного и технологического оборудования. Собственное производство компании сосредоточено в г. Зеленоград (Москва). Производство компаний партнеров расположено в Российской Федерации, Республике Беларусь и Азиатском регионе.

Конкурс субсидий для Центров коллективного пользования (ЦКП) и Научных центров мирового уровня (НЦМУ). Прием заявок до 29 марта и 08 апреля 2026г.

 

Завершается отбор на конкурсы субсидий для научных центров мирового уровня и обновление материально-технической базы организаций, выполняющих научные исследования и разработки.

 

Субсидии представляются из федерального бюджета для развития Научных центров мирового уровня (НЦМУ) и Центров коллективного пользования (ЦКП). Организатором выступает Министерство науки и высшего образования Российской Федерации.

 

Конкурсы направлены на поддержку перспективных научных проектов и создание современной инфраструктуры для исследований.

 

Участие в нём открывает возможности для приобретения высокотехнологичного оборудования, необходимого для решения фундаментальных и прикладных задач в области микроэлектроники, фотоники, новых материалов и других критически важных направлений.

 

 

Отбор на предоставление субсидии для развития Центров коллективного пользования (ЦКП)

 

Ключевые параметры конкурса:

 

  • Способ проведения: конкурс

  • Софинансирование: не менее 10% от суммы гранта

  • Объявление победителей: до 29 мая 2026 года

  • Заключение соглашений: до 24 июня 2026 года

 

 

Объемы финансирования:

 

Год Максимальный размер субсидии
2026 до 250 000 000 ₽

 

 

Прием заявок на участие продлится до 08 апреля 2026 года.

Ссылка для подачи заявки на участие в отборе: Субдсидии МинОбр для ЦКП в 2026г.

 

 

 

Отбор на предоставление субсидии для развития Научных центров мирового уровня (НЦМУ)

 

Ключевые параметры конкурса:

 

  • Способ проведения: конкурс

  • Софинансирование: не менее 10% от суммы гранта

  • Объявление победителей: до 30 апреля 2026 года

  • Заключение соглашений: до 20 мая 2026 года

 

 

Объемы финансирования:

 

Год Максимальный размер субсидии
2026 до 200 000 000 ₽
2027 до 320 000 000 ₽
2028 до 320 000 000 ₽

 

 

Прием заявок на участие продлится до 29 марта 2026 года.

Ссылка для подачи заявки на участие в отборе: Субдсидии МинОбр для НЦМУ в 2026г.

 

 

О компании ЭМТИОН

Компания ЭМТИОН осуществляет производство и поставку исследовательского лабораторного и технологического оборудования. Собственное производство компании сосредоточено в г. Зеленоград (Москва). Производство компаний партнеров расположено в Российской Федерации, Республике Беларусь и Китайской Народной Республике.

Безмасковая литография Planck Inc. (Ю. Корея) в демо-лаборатории «ЭМТИОН»

 

Компания «ЭМТИОН» продолжает расширять возможности для знакомства с передовым исследовательским оборудованием. Мы рады сообщить, что в нашей демонстрационной лаборатории в г. Зеленоград теперь представлена система безмасковой лазерной литографии Litho MaskLess (производства Ю. Корея).

 

Это компактный настольный конфигурируемый литограф, совмещенный непосредственно с оптическим микроскопом (совместим с Olympus, Nikon, Thorlabs и др.), превращая его в мощный инструмент для микроструктурирования. Главная особенность Litho MaskLess — полный отказ от использования традиционных фотомасок, что радикально ускоряет и удешевляет процесс создания прототипов и экспериментальных образцов.

 

 

Как это работает?

 

В основе системы лежит технология динамических масок на базе микрозеркального чипа DMD (Digital Mirror Device) с разрешением 1920×1080 пикселей. Изображение будущего рисунка (в формате PNG, BMP или JPG) проецируется на поверхность подложки, покрытой фоторезистом, с помощью УФ-излучения (доступны длины волн 365, 385 или 405 нм).

 

Этот подход открывает новые возможности для исследований:

 

  • Быстрая итерация: изменение рисунка занимает секунды — достаточно загрузить новый файл.

  • Экономия средств: не требуется изготавливать дорогостоящие фотомаски, система проста в обслуживании и раюоте.

  • Компактность: система монтируется на существующий микроскоп и не требует дополнительного пространства.

  • Гибкость: поддержка не только бинарных, но и градационных (grayscale) шаблонов для создания 2.5D-структур.

 

 

Технологии для точности и удобства

 

Разработчики оснастили Litho MaskLess двумя ключевыми технологиями, повышающими качество и воспроизводимость результатов:

 

  • AIUniBeam™ — интеллектуальная система коррекции неравномерности пучка. Искусственный интеллект анализирует распределение интенсивности и в реальном времени подстраивает яркость каждого пикселя DMD, обеспечивая равномерность экспонирования более 90%.

  • EasyALIGN™ — программный инструмент для точного совмещения. Система накладывает виртуальный шаблон будущего рисунка на изображение с камеры микроскопа, что позволяет идеально позиционировать структуры при многослойной литографии или работе с уже структурированными подложками.

 

 

Основные характеристики

 

  • Генератор изображений: 0.65″ DMD (1920×1080 пикс.)

  • Длина волны: 365 / 385 / 405 нм

  • Интенсивность экспозиции: до 1.3 Вт/см²

  • Равномерность: >90% (с технологией AIUniBeam)

  • Разрешение (зависит от объектива): до 0.62 мкм (с объективом 100x)

  • Максимальная область экспонирования: 2903×1633 мкм (с объективом 5x)

 

 

 Фото демо системы Litho Maskless

 

 

Демонстрация возможностей безмасковой литографии

 

Лазерный литограф Litho MaskLess уже установлен в нашей демо-лаборатории. Это отличная возможность для специалистов в области микроэлектроники, фотоники, материаловедения и биоинженерных технологий оценить преимущества безмасочной лазерной литографии.

 

Приглашаем вас посетить лабораторию «ЭМТИОН» в Зеленограде, чтобы:

 

  • Увидеть процесс экспонирования и проявления своими глазами.

  • Протестировать систему на своих собственных образцах и фоторезистах.

  • Оценить точность нанесения литографического рисунка через программное обеспечение EasyALIGN.

  • Обсудить ваши конкретные задачи с нашими инженерами.

 

 

Для организации визита и выбора удобного времени, пожалуйста, оставьте заявку на сайте, и наши специалисты свяжутся с Вами!

 

Компания ЭМТИОН осуществляет производство и поставку исследовательского лабораторного и технологического оборудования. Собственное производство компании сосредоточено в г. Зеленоград (Москва). Производство компаний партнеров расположено в Российской Федерации, Республике Беларусь и Азиатском регионе.

Фотоэлектронная спектроскопия с высоким угловым разрешением (ФЭСУР, ARPES)

 

В 2024 г. китайским производителем представлена полусферическая РФЭС-система модели R200D. Энергоанализатор отклоняющего типа обеспечивает энергетическое разрешение ΔE < 1 мэВ при интегрировании в локальной области спектра, что соответствует лучшим мировым показателям среди коммерческих приборов для рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

 

Долгое время эталонными характеристиками в классе полусферических энергоанализаторов для XPS обладали приборы серии DA компании Scienta Omicron (Германия). Флагманская модель DA30 демонстрирует предельное энергетическое разрешение ~1,8 мэВ (при энергии пропускания 2 эВ, интегрирование по полному углу), что определяло технологический барьер для конкурирующих решений.

 

Разработка R200D выполнена с применением методологических подходов, заимствованных из области фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ФЭСУР/ARPES). Реализованный в приборе метод регистрации, условно обозначенный как 1K-1meV-ARPES, предполагает одновременную оптимизацию трёх параметров: криостатического охлаждения образца (~1 K), энергетического разрешения <1 мэВ и углового разрешения, достаточного для реконструкции дисперсионных зависимостей. Для обеспечения данных условий разработаны специализированные узлы: криогенный столик с температурной стабилизацией и источник ВУФ-излучения на базе твердотельного лазера с генерацией гармоник.

 

 

Сравнительные характеристики энергетического разрешения систем DA30 (Scienta Omicron) и R200D

 

Энергия пропускания, эВ DA30, ΔE (мэВ) R200D, ΔE (мэВ) Метод обработки данных
2 1,8 2,0 / 0,9 Интегрирование по полному углу / Локальное интегрирование
5 3,6 3,3 Интегрирование по полному углу
10 5,7 5,1 Интегрирование по полному углу
20 11,4 9,5 Интегрирование по полному углу

 

 

Калибровка энергетического разрешения R200D выполнена с использованием газовой ячейки (effusion cell/Gas Cell) в качестве источника референсных линий. Возбуждение проводилось при энергии пропускания анализатора Ep = 2 эВ. При интегрировании сигнала по полному углу детектирования получено значение ΔE = 2,0 мэВ; при локальном интегрировании в области пика — ΔE = 0,9 мэВ. Различие обусловлено вкладом угловой дисперсии и неоднородности электростатического поля в периферийных зонах анализатора.

 

 

Экспериментальные данные по определению энергетического разрешения РФЭС R200D

 

Спектр калибровки энергетического разрешения

 

Зависимость разрешения от энергии пропускания

 

 

Угловое разрешение (Δθ) анализатора R200D характеризует способность прибора различать электронные состояния с близкими значениями импульса в зоне Бриллюэна. Ниже приведены данные по угловому разрешению для трёх диапазонов кинетических энергий фотоэлектронов: 3–20 эВ (рабочий диапазон для большинства рентгеновских источников), 0–3 эВ (низкоэнергетический режим, актуальный для исследований поверхностных состояний), 0,5 эВ (специализированный режим для изучения квазичастичных пиков вблизи уровня Ферми). Ep — энергия пропускания анализатора, Ek — кинетическая энергия фотоэлектрона.

 

 

Зависимость углового разрешения от диапазона энергий пропускания (РФЭС R200D)

 

 

Стандартный диапазон: режим Angular30, Ep=2 эВ, Ek=3–20 эВ

 

 

 

Низкоэнергетический диапазон: режим Angular14, Ep=2 эВ, Ek=0–3 эВ

 

 

 

Сверхнизкий диапазон: режим Angular30, Ep=0,5 эВ, Ek=3–20 эВ

 

 

 

Высокое угловое разрешение: режим Angular7, Ep=5 эВ, Δθ < 0,1°

 

 

Технические спецификации и конфигурации РФЭС-систем представлены в каталоге ЭМТИОН, раздел Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

Краткие основы растровой электронной микроскопии (РЭМ)

Информация, получаемая в процессе облучения электронами

 

Электронная микроскопия – это совокупность методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктуры образцов (вплоть до атомного уровня), их локального состава и локализованных на поверхностях или в микрообъёмах тел электрических и магнитных полей.

 

В процессе сканирования поверхности образца электронным лучом с прецизионной фокусировкой и диаметром порядка нескольких нанометров в подвергшихся воздействию точках в качестве отклика формируются потоки вторичных и отраженных электронов, которые далее детектируются, преобразуются в электрические сигналы, усиливаются и отображаются на дисплее. Сигналы применяются для модуляции интенсивности (яркости) изображения на ЭЛТ или жидкокристаллическом дисплее, а ввиду синхронизации процессов развертки и сканирования электронным лучом достигается соответствие зондируемой точки на образце и позиции на экране. Допускается переключение между морфологическим или композиционным типом формируемого РЭМ-изображения, масштаб которого определяется соотношением размера экрана по горизонтали к диапазону сканирования электронным лучом.

Электронные микроскопы KYKY от компании “Эмтион” – это современные стационарные РЭМ. Модельный ряд микроскопов KYKY представлен четырьмя основными единицами:

  • KYKY EM8100 – электронный микроскоп с полевой эмиссией, флагманское решение. Автоматизация всех осей, катод типа Шотки, макс. разрешение 1 нм при 30 кВ в SE режиме и 2.5 нм при 30 кВ в BSE режиме.
  • KYKY EM8000 – электронный микроскоп с полевой эмиссией, профессиональное решение. Автоматизация всех осей, катод типа Шотки, макс. разрешение 1.5 нм при 15 кВ в SE режиме и 3 нм при 20 кВ в BSE режиме.
  • KYKY EM6900 – электронный микроскоп с термоэмиссией, бюджетное решение. Автоматизация четырех из пяти осей, вольфрамовый нитевой катод, макс. разрешение 3 нм при 30 кВ в SE режиме и 6 нм при 30 кВ в BSE режиме.
  • KYKY EM6900-LV – низковакуумный электронный микроскоп с термоэмиссией, бюджетное решение. Автоматизация четырех из пяти осей, вольфрамовый нитевой катод, макс. разрешение 3 нм при 30 кВ в SE режиме при высоком вакууме (HV), а также 6 нм при 30 кВ в BSE режиме при высоком вакууме (HV) и низком вакууме (LV).

 

Растровые электронные микроскопы KYKY позволяют проводить полноценный анализ образца в различных условиях:

 

Электронные микроскоп KYKY позволяют получать следующую информацию об исследуемом образце с помощью детекторов EDS, EBSD, WDS, CL:

  • топография и профиль образца;
  • качественное и количественный элементный анализ, включая анализ примесей;
  • данные о структуре;
  • данные о кристаллической решетке, включая ориентацию кристалла;
  • люминесцентные свойства материалов;
  • анализ специфических параметров (поверхностный заряд, токи растекания, карту модули упругости образца и др.)

Устройство растрового электронного микроскопа (РЭМ)

Конструкция оборудования

 

В состав растрового электронного микроскопа входят элементы систем электронной оптики и генерации потока частиц, предметный стол с размещаемым образцом, детектор, обеспечивающий регистрацию вторичных электронов, блок формирования изображения, операционная система в качестве среды обработки информации.

 

Основные элементы конструкции РЭМ

 

Построение оптики определяется структурой компонентов электронного прожектора, линз конденсора и объектива, формирующих тонкий сфокусированный луч, обмотки отклоняющей системы и модуля развертки, обеспечивающих сканирование зондом поверхности образца.

В системе электронной оптики (внутри колонны микроскопа) и в рабочей зоне вокруг образца поддерживается вакуум.

 

Электронный прожектор

 

Конструкция прожектора на основе термоэлектронной эмиссии (TE) схематично показана на рисунке ниже.

Устройство электронного прожектора

 

Источником электронов в этом случае служит нить накала (катод), изготовленная из тонкой вольфрамовой проволоки порядка 0.1 мм  и нагретая до температуры приблизительно 2800 К. Образующиеся термоэлектроны собираются в направленный пучок, проходящий через отверстие по центру металлической пластины (анода), посредством приложения положительного напряжения до 30 кВ. Ток электронного луча регулируется отрицательным напряжением на электроде (называемом цилиндром Венельта), размещаемом между катодом и анодом и обеспечивающим также фокусировку пучка. Минимальное сечение луча, сфокусированного в «критической точке», рассматриваемой в качестве виртуального источника электронов, соответствует диаметру пучка 15~20 мкм.

Указанная конструкция термоэлектронной пушки (TE) находит все более широкое применение, а в качестве материала катода также возможно использование монокристалла LaB6, но при этом требуется более высокий вакуума в силу особой активности данного вещества. Кроме того, распространенными вариантами конструкции электронных прожекторов являются устройства на основе полевой эмиссии (FE) или эффекта Шоттки (SE).

Например, в РЭМ производителя KyKy ускоряющее напряжение регулируется в диапазоне от 0.2 до 30 кВ (для моделей EM8000, EM8100, EM6900, EM6900LV). Вольфрамовые катоды в виде нити накала применены в электронных микроскопах  EM6900 и EM6900 LV, а катоды на основе эффекта Шоттки реализованы на моделях EM8100 и EM8000.

 

Конструкция линзы

 

В качестве инструмента управления процессами растровой электронной микроскопии, как правило, применяются магнитные линзы. Воздействие подобной оптики на проходящий пучок электронов осуществляется симметричным круговым магнитным полем, генерируемым при пропускании постоянного электрического тока через кольцевую обмотку. При этом формирование мощной (короткофокусной) линзы предполагает увеличение плотности силовых линий, «просачивающихся» наружу только в узком зазоре изготовленных с высокой точностью полюсных наконечников закрытой обоймы магнитопровода, внутри которого расположена обмотка, как можно видеть на рисунке.

 

Конструкция магнитной линзы

 

Основной особенностью магнитной линзы является изменение фокусного расстояния в зависимости от силы тока, проходящего через обмотку.

Подобный эффект не имеет аналога в системе линз оптического диапазона.

 

Линзы конденсора и объектива

 

Размещение оптики непосредственно под электронным прожектором позволяет регулировать диаметр электронного луча в процессе фокусировки двумя каскадами линз, конденсора и объектива, и обеспечивать требуемые размеры зонда в технологиях РЭМ.

На рисунке ниже схематично показан механизм поэтапного формирования тонкого сфокусированного электронного луча (зонда).

 

Формирование зонда в системе электронной оптики

Назначение конденсорной линзы

 

При уменьшении фокусного расстояния линзы конденсора соответственно снижается величина соотношения b/a, размер электронного зонда, и наоборот. Между линзами конденсора и объектива расположена диафрагма, выполненная из тонкой металлической пластины с небольшим отверстием. Диафрагма облучается поступающим через конденсорную линзу потоком электронов, из которых только часть, прошедшая центральное отверстие, достигает объектива. С возрастанием возбуждения конденсорной линзы электронный пучок, падающий на диафрагму, значительно расширяется, следовательно уменьшается число дошедших до объектива (величина тока зонда), и наоборот. То есть регулировкой возбуждения линзы конденсора обеспечивается изменение тока и диаметра электронного зонда.

Однако даже при неограниченном (предположительно) возбуждении конденсорной линзы электронный луч не сводится в бесконечно малую точку.

 

Назначение линзы объектива

 

Конечный диаметр зонда определяется в процессе фокусировки луча линзой объектива, играющей важную роль в системе электронной оптики. Так, вопреки всем усилиям на предыдущих этапах формирования электронного зонда, минимальное сечение луча недостижимо при неудовлетворительных характеристиках объектива.

 

Предметный стол

 

Поскольку исследования в электронной микроскопии производится при высоком увеличении, требуется надежная фиксация образца и плавное перемещение рабочего стола в горизонтальной плоскости (X, Y), по вертикали (Z), а также наклон (T) и вращение (R) в соответствии с конструкцией, показанной на рисунке. Перемещением по осям X и Y осуществляется выбор поля зрения, движением по вертикали Z обеспечивается корректировка разрешения изображения и глубины фокусировки.

Например, в микроскопах KyKy максимальный диапазон перемещения столика составляет: 150 мм в горизонтальной плоскости,  и 60 мм в вертикальной. При этом столик позволяет совершать полный оборот (R) вокруг своей оси с возможность наклона (T) от -5 до +90 градусов. В свою очередь, максимальный размер исследуемого образца доходит до 340 мм.

 

Конструкция предметного столика

 

В большинстве систем РЭМ применяется предметный столик эвцентричного типа, характерной особенностью которого является отсутствие смещения поля зрения при наклоне образца. Кроме того, перемещение образца в наклонном состоянии вдоль осей X и Y не приводит к изменению фокусировки.

В дополнение к традиционной конструкции рабочего стола с ручным управлением в последние годы расширено применение устройств с моторизированным приводом, а также компьютерным контролем, обеспечивающим перемещение и позиционирование в выбранной точке простым нажатием кнопки мыши и реализацию расширенных возможностей эвцентрической платформы.

 

Детектор вторичных электронов

 

На рисунке приводится конструкция детектора, применяемого для регистрации вторичных электронов, излучаемых с поверхности образца, на торце датчика сформировано флуоресцентное покрытие сцинтиллятора и приложено высокое напряжение порядка 10 кВ. Вторичные электроны под действием положительного потенциала бомбардируют сцинтиллятор с формированием импульса в видимом диапазоне, направляемого по световоду к трубке фотоумножителя (PMT). Далее производится преобразование света в поток электронов и усиление полученного электрического сигнала. К дополнительному электроду, называемому коллектором и размещаемому перед сцинтиллятором, прикладывается напряжение в несколько сотен вольт, также обеспечивающее захват и управление потоком вторичных электронов. Данный тип детектора носит название по инициалам создателей устройства (E-T), первоначально разработанного Эверхартом и Торнли. Во многих системах РЭМ подобный детектор встраивается непосредственно в рабочую камеру. Однако при оснащении системы объективом с высоком уровнем возбуждения в целях повышения разрешения детектор помещается над ней, а регистрация вторичных электроны осуществляется с использованием магнитных полей линзы. Подобная конструкция известна как детектор TTL [Through The Lens (Регистрация через объектив)].

 

Конструкция детектора вторичных электронов

 

Формирование и запись изображения

 

Выходной сигнал детектора вторичных электронов далее усиливаются и передается на монитор. Формирование изображения в растровой электронной микроскопии осуществляется точечным изменением яркости на экране в зависимости от количества вторичных электронов, поскольку развертка на дисплее синхронизирована с процессом сканирования зондом. Долгое время в качестве монитора использовалась электронно-лучевая трубка (ЭЛТ), однако в последние годы широко применяется жидкокристаллический дисплей (ЖК). Как правило, предусматривается пошаговая регулировка скорости сканирования электронного зонда. При этом в процессе исследования образца используется высокая скорость, а для получения и сохранения изображений применяется медленное сканирование.

Долгое время изображение, сформированное системой РЭМ на экране ЭЛТ, регистрировалось фотокамерой. Ограниченным разрешением ЭЛТ, необходимостью развития методики обработки и передачи изображений обусловлен прогресс в области цифровых технологий, обеспечивающих оперативное получение данных, обмен графической информацией и запись в файл с разрешением, как правило, 1М.

 

Вакуумная система

 

Внутренние области электронной оптической системы и рабочая камера поддерживаются в состоянии высокого вакуума на уровне 10-3 ~10-4 Па, достигаемом использованием диффузионного насоса в процессе откачки. При необходимости обеспечить отсутствие в объеме масляных паров рекомендуется применение турбомолекулярного насоса. В случае оснащения оборудования РЭМ электронным прожектором на основе полевой эмиссии (FE, далее приводится подробное описание) требуется сверхвысокий вакуум с использованием ионно-сорбционного насоса.

Замена образца осуществляется при разгерметизации и последующей откачке рабочей камеры. В альтернативном варианте для перемещения образца используется форвакуумная (шлюзовая) камера с сохранением высокого уровня разрежения в рабочем объеме.

Разработка нового метода определения устойчивости к истиранию материалов в сухой среде

Многие производственные изделия требуют покрытия определенными материалами для придания необходимых свойств (окрашивания поверхностей для придания цвета, анодирование и порошковое покрытие для защиты, ламинирование материалов, тканей, лакирование поверхностей и многое другое. Одним из основных свойств изделий является стойкость их покрытий к износу – устойчивость к истиранию материалов и поверхностей.

 

Для проверки изделий на стойкость к истиранию используют, в частности, ротационные абразиметры. Тестирование проводится путем имитации ежедневного износа согласно международным и национальным отраслевым стандартам области, в которой проводятся испытания (автомобилестроение, производство потребительской электроники и др.). Методы испытаний на истирание могут варьироваться в зависимости от назначения продукта, например, анализ устойчивости поверхности может проводиться с использованием абразивных частиц Степень абразивного воздействия на материал свидетельствует о механической форме абразивного износа. Однако, на практике, мы не всегда сталкиваемся с абразивным износом в результате фрикционного контакта двух или более тел.

 

Например, элементы гидравлического оборудования для перекачки нефтепродуктов, испытывают не только фрикционный контакт с рабочей средой, но и дополнительные динамические нагрузки (центробежные шламовые насосы, предназначенные для перекачки жидкостей с высоким процентом содержания абразивных частиц и др. изделия). Оценка влияния абразивного износа на эксплуатационные характеристики оборудования также очень важна в авиационной технике. Здесь особое место занимает анализ абразивного износа наружных контуров авиационных узлов (включая лопатки газовых турбин, сопла и др. изделия). Требуется формирования новых подходов и разработки нового метода определения устойчивости поверхности материалов к истиранию в сухой среде при действующем динамическом потоке абразивных частиц.

 

Для реализации задач была разработана новая методика, в которой воздействие на объект производится за счёт использования водного раствора с суспензией, содержащей абразивный порошок (в сравнении с традиционным методом ультразвуковой обработки). Была разработана схема, в которой воздействие суспензии происходит по принципу работы системы подачи воды станка гидроабразивной резки, а регулирования имитации скорости воздействия частиц происходит роторным вращателем (Рисунок 1).

 

Рисунок 1. Схема экспериментальной установки. Обозначения: 1 – тестовый образец; 2 – сопло; 3 – фокусирующая часть; 4 – подача воды; 5 – запорный клапан; 6 – редуктор; 7 – водяной насос; 8 – фильтрующий блок; 9 – система управления; 10 – блок повышения давления (усилитель); 11 – виброгаситель; 12 – шланги высокого давления; 13 – угловая шлифовальная машина.

 

В качестве тестового материала был выбран алюминиевый сплав. Результат эксперимента представлен на Рисунке 2.

 

(а)                                                                               (б)

Рисунок 2. Образцы после гидроабразивной обработки: (а) при 4000 об/мин, (б) при 10000 об/мин.

 

Для оценки глубины проникновения абразива в материал использовался оптический микроскоп.

Рисунок 2. Фотография поверхности образца со следами взаимодействия с абразивно-жидкостным потоком.

 

Для измерения точных значений воздействия абразива на образец использовался оптический профилометр SURFIEW ACADEMY (производство GlTech) от компании Эмтион.

Изучение характера эрозии поверхности исследуемого материала позволяет оценить эксплуатационные показателм материалов и изделий, изготовленных из исследуемых материалов материалов. В результате анализа повреждений тестового образца на профилометре SURFVIEW от компании Эмтион был выявлен уровень воздействия суспензии на тестовый материал, включая его тонкопленочные покрытия из TiN и TiCN, в том числе в местах, содержащих производственные дефекты, а также была оценена динамическая пластичность материала (рисунок 3).

 

               
            (a)            (b)
           
           (c)            (d)
Рисунок 3. Предполагаемые повреждения на поверхности различных материалов в результате абразивно-жидкостной ультрагидроабразивной обработки:
(a) – модель тонкопленочного покрытия, например, TiN, TiCN
(b) – Незначительное повреждение во время наплавки (плазменное покрытие)
(c) – Оценка динамической пластичности металла и сплавов
(d) – Определение локального ударного растрескивания керамики и композитов).

Источники

А А БарзовА. Л. Галиновский и А. С. Вышегородцева

Серия конференций IOP: Материаловедение и инженерияОбъем 1060Современные материалы и требовательные приложения 2020 (AMDA 2020) 22-26 июня 2020

Ссылка на статью

Получение иерархических структур микросфер оксида меди CuO СВЧ методом

Одним из наиболее распространенных материалов, используемых в качестве проводника, является Оксид меди (CuO). Он применяется при создании таких устройств, как катализаторы, биосенсоры, конденсаторы и многое другое, и используется ввиду своей химической стабильности, нетоксичности и дешевизны. Одной из важнейших задач при создании проводников является увеличение удельной электропроводности электролитов и других проводящих сред на базе CuO . Один из эффективных способов увеличения данного параметра – оптимизация микроструктур CuO. Под оптимизацией подразумевают упорядочивание микросфер CuO в иерархически структуры, а также увеличение площади поверхностного контакта между активным материалом и электролитом.

Хотя иерархические структуры CuO обладают хорошими электрохимическими характеристиками, их способы изготовления сложны и трудоемки. Для их изготовления часто требуется добавление органических поверхностно-активных вещества, использование специальных подложек и многое другое. Для роста подробных структур СВЧ методом, требуются промышленные СВЧ печи, генерирующие излучение только при высоком давлении в камере (так называемые H-CuO структуры).  Необходим простой, эффективный и экологичный способ приготовления иерархического CuO.

В описанном эксперименте рассматривается простой, безопасный, быстрый и недорогой метод формирования иерархических структур микросфер оксида меди путем СВЧ обработки при стандартном атмосферном давлении (обработка в бытовой микроволновой печи, так называемые W–CuO структуры). W-CuO, в результате такой обработки, выстраиваются в блоки ламелеобразных  (вытянутых) структур, имеющих более высокую площадь поверхностного контакта и, следовательно, демонстрирует лучшие характеристики переноса заряда (в качестве электрода), чем H–CuO.

Полученные микросферы также исследованы с помощью методов сканирующей электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и термогравиметрического анализа. Анализ рентгеновской дифракции проводился на порошковом стационарном дифрактометре TD-3500 компании “Эмтион” Полученные результаты показывают, что иерархические структуры микросфер CuO имеют значение удельной поверхности по методу БЭТ (Брунауэра-Эммета-Теллера) равное 25,0 м2/г.

Результаты измерений методами электронной микроскопии и рентгеновской дифракции показаны ниже.

Типовые изображения , которые можно получить электронными микроскопами KYKY от компании “Эмтион”, показаны на рис. 1. В отличие от неправильной зернистой структуры H–CuO (рис. 1a), W–CuO демонстрирует более правильную сферическую структуру (рис. 1б).

Рис. 1 СЭМ–изображения a. HCuO и b. WCuO. Вставка (b) – микросферы WCuO с большим увеличением

 

Рентгенограммы CuO, полученные на порошковом рентгеновском дифрактометре TD-3500 компании “Эмтион”. Дифракционные пики H-CuO и W-CuO были идентифицированы базами данных PDF-2 и PDF-4, поставляемых с дифрактометрами серии TD от Tongda (Dandong Tongda Science&Technology Co.,Ltd ). Примесные пики Cu(OH)2 или Cu2O на дифрактограмме отсутствуют, что указывает на чистоту фаз W–CuO и H–CuO.

Рис. 2 Рентгенограммы H–CuO и W–CuO, полученные на дифрактометре TD-3500

 

Источник

Опубликовано в Micro & Nano Letters, 13 декабря 2018 года.

Автор Цзивэй Ли, Вэй Ли.

Факультет материаловедения, Тайваньский технологический университет, Тайвань.