РФЭС XPS-ESCA - ЭМТИОН
РФЭС XPS-ESCA

Csi-Lab

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

Описание РФЭС XPS-ESCA

 

XPS-ESCA — это специализированная аналитическая система для анализа поверхности материалов, основанная на методе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Этот метод анализа поверхности материалов основан на взаимодействии рентгеновских лучей с атомами и молекулами. Основной принцип метода заключается в измерении энергии и интенсивности фотоэлектронов, испускаемых при воздействии рентгеновского излучения на поверхность образца.

 

Принцип работы заключается в облучении поверхности образца рентгеновскими лучами, что вызывает испускание фотоэлектронов. Энергия связи этих фотоэлектронов уникальна для каждого химического элемента и его валентного состояния, что позволяет проводить точное определение элементного состава, содержания и химического состояния (валентности) элементов в приповерхностном слое. В данной установке для этого используется монохроматизированный источник Al Kα и высокоточный полусферический анализатор со средним радиусом 150 мм и энергетическим разрешением ≤ 50 мэВ.

 

 

 

 

 

Ключевые особенности метода XPS

 

  • Высокая поверхностная чувствительность. Метод позволяет анализировать только верхние слои образца толщиной до нескольких нанометров, что делает его особенно полезным для исследования поверхностных свойств материалов.

  • Высокая химическая специфичность. Метод позволяет идентифицировать элементы, присутствующие на поверхности образца, и определять их химическое состояние. Это достигается путем анализа энергии связи фотоэлектронов, которая зависит от химической природы атома или молекулы, из которых они исходят.

  • Высокая энергетическая разрешающая способность. Метод позволяет различать фотоэлектроны с разными энергиями с высокой точностью, что позволяет определять даже небольшие изменения в химическом состоянии поверхности образца.

 

 

Установка позволяет проводить такие сложные измерения, как анализ состава поверхности, послойный профильный анализ многослойных тонких пленок с помощью ионной пушки и химическое картирование. Это мультифункциональная система, которая поддерживает не только XPS, но и другие методы спектроскопии, такие как UPS, ARPES и AES. Процесс измерения полностью автоматизирован. Конструкция с большим световым пятном (200 мкм – 1 мм) обеспечивает высокую скорость сбора данных, а полностью автоматизированный пятиосевой столик позволяет сканировать область диаметром 60 мм и точно позиционировать образец. Анализ проводится в условиях сверхвысокого вакуума (8×10⁻¹⁰ мбар), что гарантирует чистоту поверхности.

 

Таким образом, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия является мощным методом анализа поверхности материалов, обладающим высокой поверхностной чувствительностью, химической специфичностью и энергетической разрешающей способностью.

 

 

Области применения

 

  • Исследование катализаторов
  • Изучение полимеров
  • Исследование коррозии
  • Анализ полупроводников
  • Исследование функциональных покрытий и наноматериалов.

 

Основная аналитическая камера Материал и конструкция Нержавеющая сталь SUS316L с внутренним слоем из мю-металла
Остаточное магнитное поле в точке образца Тип. ≤20 мГс; Опт. ≤5 мГс
Предельный вакуум 8×10⁻¹⁰ мбар
Анализатор энергии Тип Полусферический анализатор R150X
Средний радиус анализатора 150 мм
Энергетический диапазон 1 эВ ~ 1500 эВ
Проходящая энергия (Pass Energy) 1~500 эВ, несколько на выбор
Энергетическое разрешение ≤50 мэВ (FWHM @ Ep=2 эВ, Ek=9.1 эВ)
Угловое разрешение ≤0.1° (с пятном 0.1 мм в углоразрешённом режиме)
Режимы работы линзы Режим передачи, (опционально углоразрешённый)
Режимы сбора данных Фиксированный режим, режим сканирования
Столик для образца Тип Полностью автоматический, 5-осевой
Область сканирования Диаметр 60 мм
Диапазон перемещения X: ±12.5 мм, Y: ±12.5 мм, Z: 0~150 мм
Вращение 0~360°
Наклон -90°~90° (для углового анализа, разрешение ≤±1°)
Рентгеновский источник Модель μXR500-Mono (монохроматизированный)
Фотонная энергия (мишень) Al Kα (15 кВ)
Световой поток ≥ 1×10¹⁰ фотонов/сек
Размер пятна 200 мкм ~ 1 мм
Монохроматор Кварцевый кристалл
Ультрафиолетовый источник Модель VUV430-AF
Применимые газы He, Ne, Xe и др.
Источник возбуждения Твердотельный ВЧ-источник
Дополнительное оборудование Ионная пушка (Ar⁺), нейтрализатор и др.
Система нагрева Метод Нагрев потоком горячего воздуха; макс. 200°C
Система управления Реальное отображение вакуума, управление и защита системы

Может быть полезно:

Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (XPS)

  Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (РФЭС, XPS) состоит из основной […]

Запрос цены Подробнее
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия высокого давления (NAP-XPS)

  Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) – это метод анализа […]

Запрос цены Подробнее
Первая в РФ эксклюзивная поставка NAP-XPS

  Компания «ЭМТИОН» рада сообщить об успешном вводе в […]

Запрос цены Подробнее

Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы