РФЭС высокого разрешения MM-ARPES - ЭМТИОН
РФЭС высокого разрешения MM-ARPES

Csi-Lab

Фотоэмиссионная электронная микроскопия

Описание РФЭС высокого разрешения MM-ARPES

 

MM-ARPES представляет собой следующее поколение ARPES-систем (Momentum Microscope), принцип работы которых коренным образом отличается от традиционных фотоэмиссионных спектрометров. В основе метода лежит явление фотоэффекта — при облучении поверхности образца ультрафиолетовым излучением происходит испускание фотоэлектронов, энергия и импульс которых несут информацию об электронной структуре материала.

 

Ключевое отличие MM-ARPES от традиционных систем заключается в использовании метода фотоэмиссионной электронной микроскопии (PEEM) для одновременного получения полной карты обратного пространства (k-пространства) для каждой точки реального пространства на образце. Это позволяет преодолеть основное ограничение классических ARPES-систем, требующих последовательного сканирования по углам.

 

 

Основные особенности и преимущества системы

 

  • Высокое пространственное разрешение (≤ 50 нм) в режиме PEEM
  • Широкое угловое поле зрения до ±90°, обеспечивающее захват полной зоны Бриллюэна за один измерение
  • Уникальная многорежимность: возможность in-situ переключения между режимами PEEM, MM-ARPES и микро-ARPES
  • Криогенное охлаждение образца до 15 К для стабилизации электронных свойств

 

 

Система обеспечивает беспрецедентную эффективность сбора данных и идеально подходит для исследования неоднородных образцов и наноразмерных объектов, позволяя проводить быструю характеристику электронной структуры микронных и субмикронных объектов.

 

 

Области применения

 

  • Исследование микронных и наноразмерных образцов
  • Изучение гетероструктур
  • Исследование квантовых точек
  • Проведение in-situ экспериментов с локальным возбуждением
Основная аналитическая камера Материал и конструкция Нержавеющая сталь SUS316L, слой μ-металла
Остаточное магнитное поле Тип. ≤10 мГс
Предельный вакуум ≤ 5×10⁻¹¹ мбар (после длительного прогрева)
Анализатор энергии Тип Полусферический анализатор R150-MM
Средний радиус анализатора 150 мм
Энергетический диапазон 1 эВ ~ 1500 эВ
Проходящая энергия (Pass Energy) 1~200 эВ, несколько на выбор
Энергетическое разрешение ≤ 25 мэВ (MM-ARPES); ≤ 10 мэВ (Spectroscopy)
Пространственное разрешение ≤ 50 нм (в режиме PEEM)
Угловое разрешение ≤ 0.1°
Режимы работы линзы PEEM, MM-ARPES, Spectroscopy-APPES (in-situ переключение)
Угловое поле зрения ±90°
Размер поля обзора 2 мкм ~ 1000 мкм
Минимальная апертура поля 2 мкм
Режимы сбора данных Фиксированный режим, режим сканирования
Криогенный столик для образца Тип 6-осевой криогенный столик открытого цикла
Минимальная температура Тип. 15 К
Способ охлаждения Открытый цикл
Линейное перемещение XYZ; ход ±5 мм
Вращение PTA; диапазон ±2°, ±2°, ±5°
Управление Полная моторизованный привод, ПЛК
Ультрафиолетовый источник Модель / Тип VUV430-AF-MONO и аналоги
Световой поток на образце 6×10¹¹ фотонов/сек
Применимые газы He, Kr, Xe и др.
Источник возбуждения Твердотельный ВЧ-источник
Монохроматор Тороидальная решётка или двухкристальный монохроматор
Промежуточная камера Материал Нержавеющая сталь 316L (исполнение на заказ)
Функции Передача и хранение образцов, ионная очистка (Ar⁺), отжиг
Загрузочная камера Материал Нержавеющая сталь 316L (исполнение на заказ)
Функции Быстрая загрузка, многопозиционное хранение, соединение с перчаточным боксом
Нагрев потоком горячего воздуха; макс. 200°C
Система управления Реальное отображение вакуума, управление и защита системы

 

Может быть полезно:

Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (XPS)

  Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (РФЭС, XPS) состоит из основной […]

Запрос цены Подробнее
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия высокого давления (NAP-XPS)

  Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) – это метод анализа […]

Запрос цены Подробнее
Первая в РФ эксклюзивная поставка NAP-XPS

  Компания «ЭМТИОН» рада сообщить об успешном вводе в […]

Запрос цены Подробнее

Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы