Микрофокусный РФЭС XPS-VERSA - ЭМТИОН
Микрофокусный РФЭС XPS-VERSA

Csi-Lab

Микрофокусная рентгеновская фотоэлектронная спектрометрия

Описание Микрофокусный РФЭС XPS-VERSA

 

XPS-VERSA — это современный микрофокусный рентгеновский фотоэлектронный спектрометр, обеспечивающий высокое пространственное разрешение для анализа поверхности материалов. Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) основан на взаимодействии рентгеновских лучей с атомами и молекулами. Основной принцип метода заключается в измерении энергии и интенсивности фотоэлектронов, испускаемых при воздействии рентгеновского излучения на поверхность образца.

 

 

 

Ключевые особенности метода XPS

 

  • Высокая поверхностная чувствительность. Метод позволяет анализировать только верхние слои образца толщиной до нескольких нанометров, что делает его особенно полезным для исследования поверхностных свойств материалов.

  • Высокая химическая специфичность. Метод позволяет идентифицировать элементы, присутствующие на поверхности образца, и определять их химическое состояние. Это достигается путем анализа энергии связи фотоэлектронов, которая зависит от химической природы атома или молекулы, из которых они исходят.

  • Высокая энергетическая разрешающая способность. Метод позволяет различать фотоэлектроны с разными энергиями с высокой точностью, что позволяет определять даже небольшие изменения в химическом состоянии поверхности образца.

 

 

Конструктивные особенности XPS-VERSA

 

Ключевое отличие спектрометра XPS-VERSA заключается в использовании микрофокусного монохроматизированного источника (μXR200-Mono), который фокусирует излучение в чрезвычайно малое пятно типичным размером 100 мкм и оптимальным — до 10 мкм. Это обеспечивает высокое пространственное разрешение и позволяет проводить элементный и химический анализ микроскопических объектов, таких как отдельные частицы, дефекты или паттерны микросхем.

 

Высокое энергетическое разрешение (≤ 50 мэВ) гарантирует точное разделение пиков химических состояний даже при работе с малыми образцами. Для точного позиционирования микроскопических областей анализа используется полностью автоматический пятиосевой столик с широким диапазоном перемещения X/Y: ±25 мм, что позволяет анализировать большую площадь без переустановки образца. Система рассчитана на работу со стандартными образцами диаметром 2 дюйма и поддерживает многофункциональные измерения (XPS, UPS, ARPES, AES).

 

Таким образом, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия является мощным методом анализа поверхности материалов, сочетающим высокую поверхностную чувствительность, химическую специфичность и энергетическую разрешающую способность с уникальным пространственным разрешением.

 

 

Области применения

 

  • Анализ полупроводниковых устройств и микросхем
  • Анализ отдельных наночастиц и наноструктур
  • Исследование биоматериалов, каталитических частиц
  • Исследование коррозии в локальных областях.
Основная аналитическая камера Материал и конструкция Нержавеющая сталь SUS316L с внутренним слоем из мю-металла
Остаточное магнитное поле в точке образца Тип. ≤20 мГс; Опт. ≤5 мГс
Предельный вакуум 8×10⁻¹⁰ мбар
Анализатор энергии Тип Полусферический анализатор R150X
Средний радиус анализатора 150 мм
Энергетический диапазон 1 эВ ~ 1500 эВ
Проходящая энергия (Pass Energy) 1~500 эВ, несколько на выбор
Энергетическое разрешение ≤50 мэВ (FWHM @ Ep=2 эВ, Ek=9.1 эВ)
Угловое разрешение ≤0.1° (с пятном 0.1 мм в углоразрешённом режиме)
Режимы работы линзы Режим передачи, (опционально углоразрешённый)
Режимы сбора данных Фиксированный режим, режим сканирования
Столик для образца Тип Полностью автоматический, 5-осевой
Область сканирования Диаметр 60 мм
Диапазон перемещения X: ±25 мм, Y: ±25 мм, Z: 0~15 мм
Вращение 0~360°
Наклон 0°~90° (для углового анализа, разрешение ≤±1°)
Рентгеновский источник Модель μXR200-Mono (монохроматизированный, микрофокусный)
Фотонная энергия (мишень) Al Kα (15 кВ)
Световой поток ≥ 1×10¹⁰ фотонов/сек
Размер пятна Тип. 100 мкм (Опт. 10 мкм)
Монохроматор Кварцевый кристалл
Ультрафиолетовый источник Модель VUV430-AF
Применимые газы He, Ne, Xe и др.
Источник возбуждения Твердотельный ВЧ-источник
Дополнительное оборудование Ионная пушка (Ar⁺), нейтрализатор и др.
Система нагрева Нагрев потоком горячего воздуха; макс. 200°C
Система управления Реальное отображение вакуума, управление и защита системы

 

Может быть полезно:

Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (XPS)

  Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр (РФЭС, XPS) состоит из основной […]

Запрос цены Подробнее
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия высокого давления (NAP-XPS)

  Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) – это метод анализа […]

Запрос цены Подробнее
Первая в РФ эксклюзивная поставка NAP-XPS

  Компания «ЭМТИОН» рада сообщить об успешном вводе в […]

Запрос цены Подробнее

Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы