Описание Лазерный эллипсометр серии MUL M

Спектральный эллипсометр серии MUL M – это высокоточный и быстрый спектроскопический эллипсометр, предназначенный для измерения тонких пленок в научных исследованиях и промышленных условиях. Диапазон длин волн охватывает видимый и ближний инфракрасный свет. Спектроскопический эллипсометр серии основан на усовершенствованной двухволоконной архитектуре и программном обеспечении спектроскопического эллипсометра, используемом для измерения параметров структуры слоев (например, толщины) однослойных и многослойных нанопленок, физических параметров (например, показатель преломления n, коэффициент экстинкции k или диэлектрические функции ε1 и ε2), его также можно использовать для измерения оптических свойств сыпучих материалов. Спектральный диапазон прибора охватывает видимый и ближний инфракрасный диапазоны.

Преимущества

• Усовершенствованная двухволоконная архитектура: обеспечивает стабильность измерений даже на шероховатых, кислотно/щелочно травленых или пирамидальных поверхностях, устраняет влияние деполяризации на результаты измерений;
• Высокая скорость измерения полного спектра: время измерения составляет всего 1 секунду;
• Чувствительность обнаружения атомного уровня: точность измерения толщины до 0,1 Å для 100 нм SiO2 на Si;
• Ручная система фокусировки: обеспечивает точное позиционирование образца для получения оптимальных результатов измерений;
• Регулировка угла падения: гибкое изменение угла падения от 40° до 90° с шагом 5° (особенно важно при работе с ультратонкими или сложными образцами).

Ручная модель MUL M обеспечивает максимальную гибкость в настройке параметров измерений и идеально подходит для научно-исследовательских лабораторий, где требуется детальный контроль над процессом измерения. Простота управления и обслуживания делает эту модель экономически выгодным решением для исследовательских учреждений. Модель оснащена системой ручной фокусировки и интуитивно понятным программным обеспечением, позволяющим одним нажатием кнопки выполнять полный цикл измерения и анализа тонких пленок.

Фото программного обеспечения системы

Применения

• Структуры полупроводниковых пленочных структур: диэлектрическая пленка, металлическая пленка, полимер, фоторезист, кремний, пленка PZT, лазерный диод GaN и AlGaN, прозрачные пленки и т. д.;
• Полупроводниковые периодические наноструктуры: нанорешетки, память с изменением фазового состояния и др.;
• Исследования новых материалов и новых физических явлений: оптическая анизотропия материалов, электрооптический эффект, упруго-оптический эффект, акустооптический эффект, магнитооптический эффект, оптический эффект вращения, эффект Керра, эффект Фарадея и др.;
• Плоские дисплеи: TFT, OLED, плазменные панели, гибкие дисплеи и т. д.;
• Фотогальваника: фотогальванические материалы (такие как Si3N4, Sb2Se3, Sb2S3, CdS и т. д.), отражательная способность, измерение коэффициента экстинкции, измерение толщины пленки и шероховатости поверхности и т. д.;
• функциональные покрытия: просветляющие, самоочищающиеся, электрохромные, зеркально-оптические покрытия, а также полимерные, масляные, Al2O3 поверхностные покрытия и обработка;
• Биологическая и химическая инженерия: органическая пленка, самособирающиеся монослои, белковый субмолекулярный слой, пленочная адсорбция, модифицированные поверхности и т. д.;
• Анализ сыпучих материалов: характеристика показателя преломления n и коэффициента экстинкции k твердых тел (металлов, полупроводников, сред и т. д.) или жидкостей (чистых веществ или примесей), исследования и разработки новых стекол, контроль качества и т. д.

Опции