XPS-X5 - ЭМТИОН
XPS-X5

Csi-Lab

Автоматизированный серийный XPS-анализ: микропятно 10–400 мкм, картирование и кластерное профилирование.

Описание XPS-X5

XPS-X5 — автоматизированный рентгеновский фотоэлектронный спектрометр Csi-Lab для химического анализа поверхности, картирования и глубинного профилирования. Монохроматический источник Al Kα с регулируемым пятном 10–400 мкм, двухлучевая компенсация заряда и моноатомное/кластерное распыление объединены с программным управлением сериями измерений.

Аналитическая архитектура

Компоновка включает полусферический энергоанализатор с детектором, микрофокусный рентгеновский источник и монохроматор, оптическую камеру, манипулятор, нейтрализатор и ионный источник. Энергетическое разрешение системы составляет ≤0,5 эВ по FWHM линии Ag 3d₅/₂ на чистом серебре. Пространственное положение узлов обеспечивает оптическое наблюдение выбранной области и последовательное выполнение анализа и распыления.

Компоновка XPS-X5.
 

Компоновка XPS-X5.

Локальный анализ и химическое картирование

Диаметр рентгеновского пятна регулируется от 10 до 400 мкм. Оптический микроскоп используется для выбора участков и позиционирования, область перемещения столика — 60 × 60 мм². Последовательная регистрация локальных спектров позволяет получать карты элементов и химических состояний, анализировать неоднородности плёнок, включения и отдельные участки устройств.

Моноатомное и кластерное профилирование

  • Энергия и режимы ионного источника. Ионный источник работает в диапазоне 0,3–8 кэВ и поддерживает моноатомный и кластерный режимы.
  • Выбор режима распыления. Моноатомное распыление применяется для очистки и профилирования неорганических слоёв; кластерный режим — для чувствительных органических и полимерных материалов.
  • Автоматическое профилирование. Автоматическая последовательность «распыление — измерение» предназначена для исследования многослойных структур, распределения компонентов и химических изменений на межфазных границах.

Двухлучевая нейтрализация низкоэнергетическими электронами и ионами Ar⁺ входит в базовое оснащение. Она обеспечивает компенсацию заряда при анализе диэлектрических покрытий, порошков, полимеров и биоматериалов.

Автоматизация серийных исследований

Автоматизированы загрузка образцов, настройка и оптимизация параметров, компенсация заряда, сбор и обработка данных. Программа объединяет образцы и участки в очередь, включая обзорные спектры, выбранные спектральные линии, картирование и профилирование. Это позволяет выполнять длительные серии с воспроизводимыми настройками и сокращает число ручных операций.

XPS-X5: фотография изготовленной системы
 

Изготовленная система XPS-X5.

Дополнительные методы и среда подготовки

  • UPS —  исследование валентной зоны и работы выхода с УФ-возбуждением.
  • ARXPS — измерения при разных углах выхода для исследования тонких поверхностных слоёв и изменения глубинной чувствительности.
  • ISS — анализ верхних атомных слоёв методом рассеяния ионов.
  • REELS — спектроскопия потерь энергии отражённых электронов для исследования электронных возбуждений.
  • Оснащение для пробоподготовки — оснащение для пробоподготовки включает различные держатели, камеру вакуумного переноса, ячейку с инертным газом и модуль обработки при повышенных температуре и давлении.
  • Защищённый перенос — защищённый перенос применяется для чувствительных электродных и реакционноспособных материалов.
  • Базовая комплектация — базовая система включает энергоанализатор, монохроматический источник, столик, вакуумный комплекс, ПО, нейтрализатор и ионный источник с двумя режимами распыления.

Применения

  • Полупроводники и микроэлектроника. Химические состояния оксидов и тонких плёнок, загрязнения, локальный анализ структур.
  • Аккумуляторные материалы. Поверхностные и межфазные слои электродов, изменение состава после циклирования и обработки.
  • Полимеры и биоматериалы. Функциональные группы, модификация поверхности и распределение компонентов по глубине.
  • Катализаторы и коррозия. Состояния активных компонентов, оксидные слои и продукты взаимодействия со средой.
Параметр Значение
Метод Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS)
Рентгеновский источник Монохроматический микрофокусный Al Kα
Размер рентгеновского пятна 10–400 мкм; выбор под область анализа
Энергетическое разрешение системы ≤0,5 эВ; FWHM линии Ag 3d₅/₂ на чистом серебре
Позиционирование Оптическое наблюдение и выбор области анализа
Область перемещения столика 60 × 60 мм²
Энергия ионного источника 0,3–8 кэВ; моноатомный и кластерный режимы
Компенсация заряда Двухлучевая: низкоэнергетические электроны и ионы Ar⁺; стандарт
Ионное распыление Моноатомный и кластерный режимы; стандарт
Картирование Распределение элементов и химических состояний по поверхности
Автоматизированные этапы Загрузка, оптимизация параметров, компенсация заряда, сбор и обработка данных; очередь измерений
Дополнительные методы UPS, ARXPS, ISS, REELS — опции
Дополнительное оснащение Камера вакуумного переноса; реакционная ячейка с инертным газом; система обработки при высоких температуре и давлении; различные держатели
Выбор участка Оптический микроскоп и программное позиционирование
Серийные измерения Очередь образцов и участков; автоматические последовательности регистрации и профилирования
Базовые узлы Энергоанализатор, монохроматический источник, столик, вакуумная система, ПО, двухлучевой нейтрализатор и моноатомный/кластерный ионный источник
Каталог РФЭС
Загрузить

Может быть полезно:

Первая в РФ эксклюзивная поставка NAP-XPS

  Компания «ЭМТИОН» сообщает о вводе в эксплуатацию первой […]

Запрос цены Подробнее
РФЭС и карта химического состава поверхности

  Рентгеновская (РФЭС, XPS — X-ray Photoelectron Spectroscopy) и […]

Запрос цены Подробнее
Применение и различия методов XPS и ARPES в материаловедении

  Фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС, или PES) – это метод […]

Запрос цены Подробнее

    Оставьте заявку

    И мы ответим на интересующие Вас вопросы