EBL-100FS
Прямая электронно-лучевая запись наноструктур
Литографическая система для полупроводниковой электроники, фотоники и MEMS: векторное экспонирование и интерферометрический контроль позиционирования.
Описание
Система электронно-лучевой литографии EBL-100FS - это высокопроизводительное решение для нанолитографии, предназначенное для формирования структур субмикронного и нанометрового диапазона. Оборудование ориентировано на научно-исследовательские лаборатории, центры коллективного пользования и опытные производства в областях полупроводниковой электроники, фотоники и MEMS-технологий. Система напрямую записывает структуры на резисте с высокой точностью совмещения. Она предназначена для разработки новых топологических норм, изготовления масок и прототипирования устройств с минимальной шириной линии до 10 нм.
Особенности
Принцип работы и конструкция
Работа системы EBL-100FS базируется на использовании электронной оптики с ускоряющим напряжением до 100 кВ. Источником электронов служит катод Шоттки с автоэмиссией, обеспечивающий высокую яркость и стабильность пучка. Формирование изображения осуществляется методом векторного сканирования, что оптимизирует время экспонирования по сравнению с растровым методом. Перемещение образца реализовано по схеме Step & Repeat на вакуумном столе с ортогональной структурой. Позиционирование контролируется лазерной интерферометрической системой с дифференциальной измерительной структурой, обеспечивающей разрешение измерения лучше 0.6 нм и стабильность длины волны лазера в вакууме на уровне ±0.2 ppm в течение всего срока службы. Вакуумная система комбинированного типа включает сухие форвакуумные насосы, турбомолекулярные насосы производительностью от 240 л/с и ионные насосы, что гарантирует чистоту колонны и рабочей камеры.
Ключевые особенности и преимущества
- Нанометровое разрешение: ускоряющее напряжение до 100 кВ обеспечивает размер пятна пучка ≤2.9 нм и минимальную ширину линии ≤10 нм.
- Высокая стабильность пучка: дрейф положения не превышает 10 нм/ч, нестабильность тока составляет не более ±0.5%/ч.
- Прецизионное позиционирование: точность сшивки полей и совмещения слоев ±10 нм благодаря лазерной интерферометрической системе с разрешением лучше 0.6 нм.
- Производительность: метод векторного сканирования со скоростью 100 МГц сокращает время экспонирования по сравнению с растровыми системами.
- Автоматизация процессов: встроенная коррекция близостных эффектов (PEC), поддержка формата GDSII и система автоматической калибровки искажений поля.
- Гибкость конфигурации: поддержка пластин диаметром 6 дюймов (опционально 8 дюймов) и масок типов 6025/4525, возможность установки автоматического загрузчика на 10 кассет.
- Надежность и безопасность: соответствие стандартам SEMI-S2 и SEMI F47, опциональная активная виброизоляция с эффективностью гашения >90% на частоте 10 Гц.
Технические характеристики
EBL-100FS
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип источника электронов | Катод Шоттки с автоэмиссией (Thermal Field Emission) |
| Ускоряющее напряжение | 2–100 кВ (рабочее до 100 кВ) |
| Ток пучка (на образце) | 50 пА – 100 нА |
| Минимальный размер пятна пучка | ≤2.9 нм |
| Минимальная ширина линии | ≤10 нм |
| Режим сканирования | Векторное сканирование |
| Скорость сканирования | 100 МГц |
| Максимальное поле экспонирования | 1000 × 1000 мкм |
| Точность сшивки полей (Stitching) | ±10 нм |
| Точность совмещения (Overlay) | ±10 нм |
| Стабильность положения пучка | ≤10 нм/ч |
| Стабильность тока пучка | ≤±0.5%/ч |
| Перемещение стола (Step & Repeat) | 190 × 170 мм |
| Разрешение системы позиционирования | ≤0.6 нм (лазерный интерферометр) |
| Типы обрабатываемых образцов | Пластины до 6 дюймов (опционально 8"), маски 6025/4525 |
| Вакуумная система | Комбинированная (сухие форвакуумные, турбомолекулярные, ионные насосы) |
| Коррекция близостных эффектов (PEC) | Есть (программная компенсация дозы экспонирования) |
| Автоматическая калибровка | Коррекция искажений поля, фокусировка по высоте (опционально) |
Применение
Изготовление субмикронных и нанометровых структур методом прямой электронно-лучевой записи.
Примеры применения
Материалы
Все материалы (1)Обсудим вашу задачу
Укажите образцы, метод и условия измерений. Подберём конфигурацию и состав оборудования.