Магнитная литография и визуализация.

redactor — Fri, 25 Mar 2022 15:47:58 +0000

Принцип магнитно-силовой микроскопии основан на регистрации взаимодействия между образцом и наноразмерным магнитным зондом. Стандартный магнитный зонд представляет собой АСМ-кантилевер, покрытый тонкой магнитной пленкой. Измерения МСМ выявляют магнитную структуру тонких пленок, объемных образцов, наноструктур и наночастиц с разрешением до нанометрового масштаба. Наилучшее разрешение достигается при использовании специальных кантилеверов с высоким соотношением сторон. Существует два основных метода регистрации сигнала МСМ: измерение статического отклонения кантилевера и динамическое определение амплитуды, фазы и частоты колебаний кантилевера. Стандартные методы MCM доступны во всех моделях СЗМ Интегра.

Статические и динамические МСМ методы, а также однопроходные и двухпроходные методы измерения регистрации изгиба кантилевера и сдвига резонансного пика.

Поддержка измерений во внешнем магнитном поле (горизонтальном и вертикальном)

МСМ в вакууме: измерения в вакууме значительно улучшают чувствительность МСМ из-за повышенной добротности.

Диапазон температур: от комнатной температуры до 300 °. Широкий диапазон температур позволяет изучать различные явления, такие как магнитные фазовые переходы.

Ближнепольная оптическая микроскопия для магнито-оптики высокого разрешения, с использованием апертурных кантилеверов, позволяет получать оптическое изображение доменной структуры высокого разрешения

Высокоточная магнитная литография.

а) схема управляемого реверсирования намагниченности в выбранной магнитной наночастице: зонд изменяет направление намагниченности частицы, приближаясь к поверхности образца; б) на изображении электронной микроскопии показана матрица дисков с перпендикулярной магнитной анизотропией. Диаметр диска составляет 35 нм, толщина-10 нм, а период структуры-120 Нм; (в) МСМ-изображения, полученные на одной и той же площади в условиях низкого вакуума. Каждое изображение получается после магнитного реверсирования в одном диске по схеме (а), и, наконец, достигается желаемое распределение магнитных моментов.

Сообщение Магнитная литография и визуализация. появились сначала на ЭМТИОН.

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

redactor — Mon, 12 Aug 2019 10:22:47 +0000

Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние на функционирование и надежность микросхем, может являться причиной различных режимов отказа, таких как:

– изменения подвижности электронов или дырок

– дислокации вблизи изолирующих областей

– трещины в сколах,

– ползучесть в металлах,

– стрессовая миграция и др.

Напряжение также может быть использован положительным образом, например, для увеличения подвижности носителей.

Сообщение Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии появились сначала на ЭМТИОН.

Архивы Ntegra - ЭМТИОН

Магнитная литография и визуализация.

Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии