TESCAN MIRA3

TESCAN

TESCAN MIRA3 - Полностью управляемый с компьютера сканирующий электронный микроскоп FEG SEM с катодом с полевой эмиссией

Описание TESCAN MIRA3

Полностью управляемый с компьютера сканирующий электронный микроскоп FEG SEM с катодом с полевой эмиссией, выпускается как в высоковакуумном исполнении, так и с переменным вакуумом в камере образцов. Характеризуется непревзойденными оптическими свойствами, немерцающим цифровым изображением превосходного качества. Современное дружественное программное обеспечение для управления микроскопом, накопления и обработки изображений, работающее в среде Windows™; а также стандартные форматы сохранения изображений, система архивирования, обработки и удобного просмотра изображений, проведение измерений на изображении, автоматическая система настройки микроскопа и множество других автоматизированных процедур.

Аналитический потенциал

Камера сканирующего электронного микроскопа с маркировкой LM — это предназначенная для самых разных аналитических задач большая камера, которая оборудована:

  • компуцентрическим столиком образцов, полностью моторизованным по всем 5-ти осям,
  • 11+ интерфейсных портов, аналитическая геометрия которых оптимизирована для работы с приставками EDX, WDX и EBSD, а также со многими другими детекторами;
  • детекторами сцинтилляционного типа, основой которых являются высокочувствительные YAG-кристаллы превосходного качества,
  • на выбор доступны опциональные детекторы и аксессуары.

Уровень вакуума, достаточный для полноценного функционирования микроскопа, достигается за несколько минут с помощью высокопроизводительных турбомолекулярного и форвакуумного насосов. Высокий уровень вакуума в области электронной пушки, необходимый для функционирования катода Шоттки, достигается с помощью геттерно-ионных насосов.

Микроскоп версии LMU позволяет исследовать непроводящие образцы в режиме с переменным давлением в камере; великолепные результаты получаются при анализе намагниченных образцов.

Для эффективного гашения внешних вибраций предусмотрены разные варианты подвески камеры и колонны.

При наличии опционального ПО возможна реконструкция трехмерного профиля поверхности с измерениями истинных размеров, площадей либо объемов объектов на поверхности.

Конфигурации микроскопа MIRA3 LM

MIRA 3 LMH

Сканирующий электронный микроскоп с большой камерой (LM) в высоковакуумном исполнении, предназначен для широкого круга задач, в которых исследуются образцы, проводящие электрический ток, либо непроводящие с нанесенным на них токопроводящим покрытием. Микроскоп обеспечивает получение изображений непревзойденного качества.

MIRA 3 LMU

Сохраняя все преимущества высоковакуумного микроскопа, модель микроскопа для работы не только с высоким, но и с переменным вакуумом в камере образцов имеет техническую возможность исследовать непроводящие образцы в их естественном состоянии, без какого бы то ни было напыления токопроводящим слоем.

FEG SEM высокого разрешения

  • Катод Шоттки высокой яркости для получения изображений с высоким разрешением, высокой контрастности, с низким уровнем шумов.
  • Опциональные In-Beam детекторы (детекторы SE и/или BSE , встроенные в полюсный наконечник объективной линзы) расширяют возможности микроскопа по созданию изображений с высоким разрешением.

Современная электронная оптика

  • Уникальная конструкция электронно-оптической колонны с тремя линзами (технология Wide Field Optics™) позволяет использовать оптическую систему в различных режимах: Разрешение, Глубина фокуса, Поле, Широкое поле, Качающийся зонд.
  • Замена эффективной финальной апертуры осуществляется с помощью электромагнита – запатентованная промежуточная линза (IML) работает в качестве устройства смены апертуры.
  • Конструкция колонны микроскопа без единого механически центрируемого элемента позволяет автоматизировать многие процедуры настройки, включая юстировку и центрирование электронной оптики.
  • Запатентованная технология In-Flight Beam Tracing™, интегрированная с хорошо себя зарекомендовавшим программным модулем Electron Optical Design, служит для вычисления с высокой точностью параметров пучка в реальном времени и оптимизации этих параметров «на лету», что позволяет, в частности, напрямую задавать желаемый диаметр зонда либо ток зонда в непрерывном диапазоне.
  • Благодаря передовой технологии 3D Beam Technology оператору доступны уникальные «живые» стереоскопические изображения, которые открывают изумительный трехмерный микро- и нано-мир для 3D-исследований и 3D-навигации.
  • Ультра-высокая скорость сканирования (вплоть до 20 нс/пиксель).

Электронная оптика

Источник электронов: Катод Шоттки высокой яркости
(катод с полевой эмиссией)
Разрешение:
в режиме высокого вакуума (SE): 1,2 нм при 30 кВ
2,5 нм при 3 кВ
в режиме высокого вакуума при наличии опционального детектора In-Beam SE: 1,0 нм при 30 кВ
2,0 нм при 3 кВ
при наличии опциональной технологии торможения пучка (BDM): 1,5 нм при 3 кВ
при наличии опционального детектора «на просвет» STEM: 0,8 нм при 30 кВ
при наличии опционального детектора In-Beam BSE: 2,0 нм при 15 кВ
в режиме переменного вакуума (LVSTD): 1,5 нм при 30 кВ
3,0 нм при 3 кВ
в режиме переменного вакуума (BSE): 2,0 нм при 30 кВ
Увеличение: при 30 кВ: от 2 × до 1 000 000 ×
(увеличение указано для изображения шириной 5 дюймов, непрерывное изменение увеличения во всем диапазоне)
Максимальное поле обзора: 20 мм при WD = 30 мм
Ускоряющее напряжение: от 200 В до 30 кВ / от 50 В до 30 кВ при наличии опции BDT (технологии торможения пучка электронов)
Ток пучка электронов: от 2 пА (2•10-12 А) до 200 нA (200•10-9 А)
Рабочие режимы электронной оптики:
Разрешение: высокое разрешение
Глубина: большая глубина резкости
Поле: большое поле зрения без искажений
Широкое поле: максимальная площадь обзора образцов в камере при минимальных увеличениях без искажений (увеличение известно)
Каналирование: картины каналирования электронов (ECP) для оценки характеристик кристаллической ориентации образца

В режиме переменного вакуума доступны только режимы «Разрешение» и «Глубина»

Система сканирования

Скорость сканирования: От 20 нс до 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно
Режимы сканирования: Сканирование по линии и в точке. Форма, размер и положение Окна Фокусировки плавно меняются. Динамический фокус вплоть до наклона плоскости на ± 70°, двойной динамический фокус (для объектов, расположенных ребром).
Сдвиг и вращение области сканирования.
Коррекция наклона образца.
3D пучок – поворот оси сканирования на заданный угол вокруг XY оси.
«Живое» стереоскопическое изображение.
Возможны произвольные формы окна сканирования с опциональным модулем DrawBeam

Вакуумная система

Вакуум в камере образцов:
Режим высокого вакуума: < 9 × 10-3 Па*
Режим переменного вакуума: 7 – 500 Па**
* давление < 5 × 10-4 Па достижимо, точное измерение давления возможно при заказе опционального вакуумного датчика;
** – требуется вставить разделительную апертуру
Вакуум в области электронной пушки: < 3 × 10-7 Па
Типичное время откачки после смены образцов: < 3 минут

Камера

Внутренний диаметр: 230 мм
Ширина дверцы: 148 мм
Число портов: 11+
+ Конфигурация и число портов могут быть изменены под задачи заказчика
Подвеска камеры и колонны: Стандартно: пневматическая
Опционально: интегрированная активная
электромагнитная

Столик образцов

Тип: Компуцентрический, полностью моторизованный
Перемещения: X = 80 мм (от -40 мм до +40 мм)
Y = 60 мм (от -30 мм до +30 мм)
Z = 47 мм
Вращение 360° непрерывно
Наклон: от –80° до +80°
Диапазон перемещений может зависеть от WD, от размера образцов и от конфигурации установленных детекторов
Максимальная высота образца: 81 мм (без вращения столика),
60 мм (с вращением столика)

Может быть полезно:

Описание методик

Полуконтактный АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Сканирующей Силовой Микроскопии впервые было […]


Метод отображения Фазы АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Атомно-силовой микроскопии впервые было предложено […]


Многопроходные Методики

Многопроходные методики АСМ обычно используются в задачах, где необходимо […]


Научные результаты на обору­довании

Магнитооптические, структурные и поверхностные свойства (Bi, Ga)-замещенных DyIG пленок, полученных реактивно-ионным распылением.

Зависимости магнитооптических, структурных и морфологических свойств наноразмерных (Bi, Ga) […]


Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

  Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние […]


Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы