TESCAN MAIA3

TESCAN

TESCAN MAIA3 - Полностью управляемый с компьютера сканирующий электронный микроскоп сверх-высокого разрешения FEG SEM с катодом с полевой эмиссией и с иммерсионной оптикой

Описание TESCAN MAIA3

Полностью управляемый с компьютера сканирующий электронный микроскоп сверх-высокого разрешения FEG SEM с катодом с полевой эмиссией и с иммерсионной оптикой, выпускается как в высоковакуумном исполнении, так и с переменным вакуумом в камере образцов. Характеризуется непревзойденными оптическими свойствами, немерцающим цифровым изображением превосходного качества. Cовременное дружественное программное обеспечение для управления микроскопом, накопления и обработки изображений, работающее в среде Windows™; а также стандартные форматы сохранения изображений, система архивирования, обработки и удобного просмотра изображений, проведение измерений на изображении, автоматическая система настройки микроскопа и множество других автоматизированных процедур.

Аналитический потенциал

Выдающаяся запатентованная конструкция электронно-оптической колонны TriglavTM с утроенной системой детектирования TrilensTM для максимально разносторонних задач. Камера сканирующего электронного микроскопа с маркировкой LM — это предназначенная для самых разных аналитических задач большая камера, которая оборудована:

  • однополюсной объективной линзой иммерсионного типа с углом раствора конуса 60°, благодаря иммерсионой оптике реализуется ультра-высокое пространственное разрешение;
  • аналитической линзой нового дизайна, что позволяет сохранить высокое пространственное разрешение в неиммерсионном режиме — предназначено для использования вместе детекторами EDS, EBSD, WDS;
  • компуцентрическим столиком образцов, полностью моторизованным по всем 5-ти осям,
  • 11+ интерфейсных портов, аналитическая геометрия которых оптимизирована для работы с приставками EDX, WDX и EBSD, а также со многими другими детекторами;
  • детекторами сцинтилляционного типа, основой которых являются высокочувствительные YAG-кристаллы превосходного качества,
  • на выбор доступны опциональные детекторы и аксессуары.

Уровень вакуума, достаточный для полноценного функционирования микроскопа, достигается за несколько минут с помощью высокопроизводительных турбомолекулярного и форвакуумного насосов. Высокий уровень вакуума в области электронной пушки, необходимый для функционирования катода Шоттки, достигается с помощью геттерно-ионных насосов.

Микроскоп версии LMU позволяет исследовать непроводящие образцы в режиме с переменным давлением в камере.

При наличии опционального ПО возможна реконструкция трехмерного профиля поверхности с измерениями истинных размеров, площадей либо объемов объектов на поверхности.

Конфигурации микроскопа MAIA3 model 2016 LM

MAIA3 model 2016 LMH

Сканирующий электронный микроскоп с большой камерой (LM) в высоковакуумном исполнении, предназначен для широкого круга задач, в которых исследуются образцы, проводящие электрический ток, либо непроводящие с нанесенным на них токопроводящим покрытием. Микроскоп обеспечивает получение изображений непревзойденного качества.

MAIA3 model 2016 LMU

Сохраняя все преимущества высоковакуумного микроскопа, модель микроскопа для работы не только с высоким, но и с переменным вакуумом в камере образцов имеет техническую возможность исследовать непроводящие образцы в их естественном состоянии, без какого бы то ни было напыления токопроводящим слоем.

 

FEG SEM высокого разрешения

  • Однополюсная объективная линза иммерсионного типа с углом раствора конуса 60°, благодаря иммерсионой оптике реализуется ультра-высокое пространственное разрешение.
  • Аналитическая линза нового дизайна, что позволяет сохранить высокое пространственное разрешение в неиммерсионном режиме — предназначено для использования вместе детекторами EDS, EBSD, WDS.
  • Катод Шоттки высокой яркости для получения изображений с высоким разрешением, высокой контрастности, с низким уровнем шумов.
  • Три детектора вторичных электронов по технологии TriSETM
  • Три детектора отраженных электронов по технологии TriBETM

Современная электронная оптика

  • Улучшенная промежуточная линза для экстра-широкого поля обзора.
  • Уникальная комбинация режима crossover-free и иммерсионной линзы для эффективной работы при очень больших увеличениях.
  • Уникальная конструкция электронно-оптической колонны с тремя линзами (технология Wide Field Optics™) позволяет использовать оптическую систему в различных режимах: Разрешение, Глубина фокуса, Поле, Широкое поле, Качающийся зонд.
  • Технология EquiPowerTM для непрерывного отвода тепла, что обеспечивает великолепную термостабильность колонны.
  • Новая конструкция электронной пушки с катодом с полевой эмиссией (типа Шоттки), что обеспечивает диапазон токов электронного пучка вплоть до 400 нА.
  • Замена эффективной финальной апертуры осуществляется с помощью электромагнита – запатентованная промежуточная линза (IML) работает в качестве устройства смены апертуры.
  • Конструкция колонны микроскопа без единого механически центрируемого элемента позволяет автоматизировать многие процедуры настройки, включая юстировку и центрирование электронной оптики.
  • Запатентованная технология In-Flight Beam Tracing™, интегрированная с хорошо себя зарекомендовавшим программным модулем Electron Optical Design , служит для вычисления с высокой точностью параметров пучка в реальном времени и оптимизации этих параметров «на лету», что позволяет, в частности, напрямую задавать желаемый диаметр зонда либо ток зонда в непрерывном диапазоне.
  • Расширенный диапазон давлений в режиме низкого вакуума, с давлением в камере вплоть до 500 Па, для изучения без какого-либо напыления образцов, не проводящих электрический ток.
  • Продвинутая система электронно-лучевой литографии DrawBeam, с возможностью создания сложных векторных моделей и с программируемыми параметрами экспонирования.
  • Удобное программное обеспечение для управления микроскопом; для сохранения, архивирования, обработки и анализа изображений. Русскоязычное программное обеспечение, а также Cправка (Help) и Руководство пользователя на русском языке.
  • Встроенный удаленный доступ/диагностика микроскопа.
  • Благодаря передовой технологии 3D Beam Technology оператору доступны уникальные «живые» стереоскопические изображения, которые открывают изумительный трехмерный микро- и нано-мир для 3D-исследований и 3D-навигации.
  • Технология торможения пучка электронов (BDT) для сохранения высокого пространственного разрешения при работе с очень низкими энергиями приземления электронов (вплоть до 50 эВ).
  • Ультра-высокая скорость сканирования (вплоть до 20 нс/пиксель).
  • Удобное и разностороннее управление образцом с помощью моторизованного по всем 5-ти осям компуцентрического столика образцов.

Электронная оптика

Источник электронов: Катод Шоттки высокой яркости
(катод с полевой эмиссией)
Разрешение:
стандартного детектора
(In-Beam SE)
0.7 нм при 15 кВ1.4 нм при 1 кВ

1.7 нм при 500 В

при наличии опциональной технологии торможения пучка (BDM):
1,0 нм при 1 кВ

1.2 нм при 200 В

при наличии опционального детектора «на просвет» STEM: 0.7 нм при 30 кВ
в режиме переменного вакуума (BSE): 2,0 нм при 30 кВ
Увеличение: от 4 × до 1 000 000 ×
(увеличение указано для изображения шириной 5 дюймов, непрерывное изменение увеличения во всем диапазоне)
Максимальное поле обзора: 4.3 мм при аналитическом WD = 5 мм / 7.5 мм при WD = 30 мм
Ускоряющее напряжение: от 200 В до 30 кВ / от 50 В до 30 кВ при наличии опции BDT (технологии торможения пучка электронов)
Ток пучка электронов: от 2 пА (2•10-12 А) до 400 нA (400•10-9 А)
Рабочие режимы электронной оптики:
Разрешение: ультра-высокое разрешение
Глубина: ультра-высокое разрешение с одновременной расширенной глубиной резкости
Аналитика: неиммерсионный режим для аналитических приложений (EDS, EBSD, WDS), для изучения магнитных образцов
Широкое поле: максимальная площадь обзора образцов в камере при минимальных увеличениях без искажений (увеличение известно)

В режиме переменного вакуума недоступен режим «Широкое поле»

Система сканирования

Скорость сканирования: От 20 нс до 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно
Режимы сканирования: Сканирование по линии и в точке. Форма, размер и положение Окна Фокусировки плавно меняются. Динамический фокус вплоть до наклона плоскости на ± 70°, двойной динамический фокус (для объектов, расположенных ребром).
Сдвиг и вращение области сканирования.
Коррекция наклона образца.
3D пучок – поворот оси сканирования на заданный угол вокруг XY оси.
«Живое» стереоскопическое изображение.
Возможны произвольные формы окна сканирования с опциональным модулем DrawBeam

Вакуумная система

Вакуум в камере образцов:
Режим высокого вакуума: < 9 × 10-3 Па*
Режим переменного вакуума: 7 – 500 Па**
* давление < 5 × 10-4 Па достижимо, точное измерение давления возможно при заказе опционального вакуумного датчика;
** – требуется вставить разделительную апертуру
Вакуум в области электронной пушки: < 3 × 10-7 Па
Типичное время откачки после смены образцов: < 3 минут

Камера

Внутренний диаметр: 230 мм
Ширина дверцы: 148 мм
Число портов: 11+
+ Конфигурация и число портов могут быть изменены под задачи заказчика
Подвеска камеры и колонны: Стандартно: интегрированная активная
электромагнитная

Столик образцов

Тип: Компуцентрический, полностью моторизованный
Перемещения: X = 80 мм (от -40 мм до +40 мм)
Y = 60 мм (от -30 мм до +30 мм)
Z = 37 мм
Вращение 360° непрерывно
Наклон: от –80° до +80°
Диапазон перемещений может зависеть от WD и от размера образцов
Максимальная высота образца: 71 мм (без вращения столика),
44 мм (с вращением столика)

Может быть полезно:

Описание методик

Полуконтактный АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Сканирующей Силовой Микроскопии впервые было […]


Метод отображения Фазы АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Атомно-силовой микроскопии впервые было предложено […]


Многопроходные Методики

Многопроходные методики АСМ обычно используются в задачах, где необходимо […]


Научные результаты на обору­довании

Магнитооптические, структурные и поверхностные свойства (Bi, Ga)-замещенных DyIG пленок, полученных реактивно-ионным распылением.

Зависимости магнитооптических, структурных и морфологических свойств наноразмерных (Bi, Ga) […]


Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

  Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние […]


Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы