SNOM с оптоволоконной головкой

NTMDT BV (Королевство Нидерландов)

Оптическая визуализация и спектроскопия в наномасштабе для материаловедения, биологии и др.

Описание SNOM с оптоволоконной головкой

Сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия (SNOM) позволяет изучать оптические свойства образца с разрешением, значительно превышающим дифракционный предел. Флуоресценцию образца, отражение, пропускание, рассеяние и т. д. SNOM позволяет получать оптическое изображение объекта с разрешением  до нескольких десятков нанометров. Существуют два основных вида микроскопии ближнего поля: (1) апертурный SNOM и  (2) безапертурный SNOM.

В первом случае в качестве оптического зонда используется апертура субволнового размера на сканирующем наконечнике. Это может быть отверстие в металлическом покрытии либо наконечника оптического волокна, либо кантилевера. Пространственное разрешение

Схематичное изображение процесса сканирования в режиме «Shear force» оптоволоконной SNOM головки

Схематичное изображение процесса сканирования в режиме «Shear force» оптоволоконной SNOM головки[/caption]

в апертурном SNOM, как правило, определяется диаметром апертуры. Безапертурные методы также основаны на оптических свойствах ближнего поля, но не требуют пропускания света через апертуру. К безапертурным методоам относят SNOM так называемый scattering SNOM, усиленное Рамановское излучение/флуоресценция (TERS) и другие. Методы SNOM широко используются в нанофотонике (плазмоника, фотонные кристаллы, волноводы и т. д.), лазерных технологиях, оптических микроустройствах и материаловедении.

 

SNOM с оптоволоконной головкой

Сканирование зондом (возможно сканирование  образцом): гибкое конфигурирование для плазмоки;
Кварцевый резонатор удерживающий оптоволоконный зонд обеспечивает обратную связь в  «shear force» режиме обеспечивая стабильное позиционирование оптоволоконного зонда в единицах нанометров над поверхностью образца;
Кварцевый резонатор позволяет работать без оптического дефлектора что дает возможность использовать оптоволоконный SNOM в очень широком оптическом диапазоне от  DUV до IR без опасности интерферирования с лазером дефлектора;
SNOM режимы: Отражение, Сбор, Пропускание.

Сканирующая ближнепольная микроскопия
Поперечно-Силовая Микроскопия/ Метод отражения, пропускания, люминесцентный (дополнительно)/ некоторые АСМ методы возможны по выбору
Технические характеристики
Лазерный модуль Длина волны*
441, 488, 514, 532, 633 нм
Система  ввода
излучения
X-Y-Z позиционер, позиционирование с точностью 1 мкм
Держатель волокна с V-канавкой
40X объектив ввода
Поперечно-силовая
Размер образца
До 100 мм в диаметре,
до 15 мм в высоту
XY позиционирование образца
5×5 мм
Позиционирование с точностью
разрешение — 5 мкм
минимальное перемещение — 2 мкм
Сканирование с замкнутой петлей
обратной связи
Емкостные датчики по X, Y, Z
Сканирование образцом
Сканирование зондом
Область сканирования
100x100x25 мкм
100x100x7 мкм
Нелинейность, XY
0.03 % (типично)
<0.15 %
Уровень шума, Z
<0.2 нм (типично)
0.04 нм (типично),
0.06 нм
Уровень шума, XY
<0.5 нм (типично)
0.2 nm (типично),
0.3 нм
Рабочая частота кварцевого резонатора
190 кГц
Диаметр оптического волокна
90 мкм (для 480-550 нм), 125 мкм (для 600-680 нм)
Апертура
< 100 нм
Каналы для совместной регистрации
метод Отражения
метод Пропускания/Флуоресценции
ФЭУ
(для любого канала)
Спектральная чувствительность
185-850 нм
Чувствительность 420 нм
3×1010 В/Вт
Преобразующий усилитель
Ток-Напряжение (встроенный)
1×10В/A
Частотная ширина полосы
20 кГц
Высоковольтный источник питания
встроенный
Виброизоляция
Активная
 0.7-1000 Гц
Пассивная
выше 1 кГц

Может быть полезно:

Описание методик

Полуконтактный АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Сканирующей Силовой Микроскопии впервые было […]


Метод отображения Фазы АСМ

Использование колеблющегося кантилевера в Атомно-силовой микроскопии впервые было предложено […]


Многопроходные Методики

Многопроходные методики АСМ обычно используются в задачах, где необходимо […]


Научные результаты на обору­довании

Магнитооптические, структурные и поверхностные свойства (Bi, Ga)-замещенных DyIG пленок, полученных реактивно-ионным распылением.

Зависимости магнитооптических, структурных и морфологических свойств наноразмерных (Bi, Ga) […]


Микрораман. Измерение механического напряжения в кремнии

  Механическое напряжение может оказывать прямое или косвенное влияние […]


Оставьте заявку

И мы ответим на интересующие Вас вопросы